一种芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其芯片Ⅰ（21）设置于基板（10）的内部的绝缘层中，所述芯片Ⅱ（31）通过芯片Ⅱ下金属凸块（33）、金属连接件Ⅱ（35）倒装于基板（10）的上表面与最上层的上层金属层（12）的上表面倒装连接，所述芯片Ⅱ底填料（37）于基板（10）上方填充芯片Ⅱ下金属凸块（33）周围空间，并于芯片Ⅱ（31）的正面的中央形成填充空腔（4），所述空腔（4）内设置若干个无源器件（5）。本实用新型专利技术提供了一种符合微型化和集成化封装趋势的芯片封装结构。化封装趋势的芯片封装结构。化封装趋势的芯片封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装结构


[0001]本技术涉及一种芯片的封装结构，属于半导体芯片封装


技术介绍

[0002]随着技术的发展，芯片封装尺寸越来越趋近于微型化和集成化。常用的芯片封装结构采用芯片倒装于基板的模式，多芯片的封装结构往往采用在原有基板之上层层叠加其他功能芯片或无源器件实现三维封装，这种封装结构显得臃肿、芯片与芯片之间的关系变得复杂，这显然与芯片封装的趋势相违背。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种符合微型化和集成化封装趋势的芯片封装结构。
[0004]本技术是这样实现的：
[0005]本技术提供了一种芯片封装结构，其包括基板、芯片Ⅰ、芯片Ⅰ上金属凸块、芯片Ⅱ、芯片Ⅱ下金属凸块、芯片Ⅱ底填料和无源器件，所述基板为包含多层金属层和绝缘层的高密度再布线金属层，所述各金属层彼此之间选择性连接，所述绝缘层填充于各金属层之间，所述芯片Ⅰ设置于基板的内部的绝缘层中，其上方设置至少一层上层金属层、其下方设置至少一层下层金属层，所述芯片Ⅰ通过芯片Ⅰ上金属凸块与相邻的上层金属层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括基板（10）、芯片Ⅰ（21）、芯片Ⅰ上金属凸块（23）、芯片Ⅱ（31）、芯片Ⅱ下金属凸块（33）、芯片Ⅱ底填料（37）和无源器件（5），所述基板（10）为包含多层金属层和绝缘层的高密度再布线金属层，所述各金属层彼此之间选择性连接，所述绝缘层填充于各金属层之间，所述芯片Ⅰ（21）设置于基板（10）的内部的绝缘层中，其上方设置至少一层上层金属层（12）、其下方设置至少一层下层金属层（14），所述芯片Ⅰ（21）通过芯片Ⅰ上金属凸块（23）与相邻的上层金属层（12）的下表面正装连接；所述芯片Ⅱ下金属凸块（33）的顶端设置金属连接件Ⅱ（35），所述金属连接件Ⅱ（35）为焊球或焊块，所述芯片Ⅱ（31）通过芯片Ⅱ下金属凸块（33）、金属连接件Ⅱ（35）倒装于基板（10）的上表面与最上层的上层金属层（12）的上表面倒装连接，所述芯片Ⅱ下金属凸块（33）分布于芯片Ⅱ（31）的正面的中央四周，所述芯片Ⅱ底填料（37）于基板（10）上方填充芯片Ⅱ下金属凸块（33）周围空间，并于芯片Ⅱ（31）的正面的中央形成填充空腔（4），...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵炯一，刘怡，徐健，金政漢，唐传明，陈南南，
申请(专利权)人：星科金朋半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：