倒装芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装芯片结构及其制备方法。所述倒装芯片结构包括基板、设置在基板上的金属衬垫及与所述金属衬垫相接触的金属种子层，所述倒装芯片结构还包括设置在所述金属种子层上的凸块，所述凸块沿背离所述金属种子层的方向呈逐渐增大设置。与现有技术相比，本发明专利技术利用光阻层的倾斜内侧面，使得在其内侧制备出的凸块也具有相应的倾斜状的侧壁面，凸块的倾斜侧壁面和光阻层的倾斜内侧面，两者之间可以形成较好的结合力，尤其在电镀前清洗及镀液的冲压作用下，可形成密封的相向的力，避免了镀液沿着凸块的侧壁面下渗而造成渗镀异常。常。常。

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种倒装芯片结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]倒装芯片(FC，Flip
‑
Chip)结构是目前半导体封装领域常用的一种封装技术，其主要是在芯片的焊块上制作凸块(Bump)，然后将芯片带元器件的一面朝下“倒扣”，直接与基板进行组装。上述倒装芯片结构通过凸块直接与基板连接，相较于引线键合(WB，Wire Bonding)、载带自动焊(TAB，Tape Automated Bonding)技术，FC技术能够提供最高的封装密度、最小的封装尺寸、最好的高频性能。
[0003]凸块的制作是FC技术的核心工艺，通常是在金属衬垫上依次制备出金属种子层(UBM)与凸块，金属种子层可采用溅射工艺制作，凸块可采用电镀法制作。对于电镀法制作凸块的工艺来说，尤其要注意电镀液的渗镀问题，现有技术中，如图1所示，对于CuNiAu结构的凸块T来说，Au镀液往往因为氰基的攻击性而导致产品出现渗镀，造成渗镀的因素还包括电镀前高水压强力冲洗、电镀时镀液的喷流等，上述凸块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片结构，包括基板、设置在基板上的金属衬垫及与所述金属衬垫相接触的金属种子层，其特征在于：所述倒装芯片结构还包括设置在所述金属种子层上的凸块，所述凸块沿背离所述金属种子层的方向呈逐渐增大设置。2.根据权利要求1所述的倒装芯片结构，其特征在于：所述凸块具有垂直于所述基板表面的倒梯形截面。3.根据权利要求1所述的倒装芯片结构，其特征在于：所述凸块的侧壁面相对所述基板所在平面的夹角设置为60
‑
80度。4.根据权利要求1所述的倒装芯片结构，其特征在于：所述凸块包括依次层叠设置在所述金属种子层上的至少两个金属层。5.根据权利要求1或4所述的倒装芯片结构，其特征在于：所述凸块包括依次层叠设置在所述金属种子层上的铜质金属层、金质金属层及镍质金属层。6.一种倒装芯片结构的制备方法，其特征在于：提供基板，所述基板上设置有金属衬垫及钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，
申请(专利权)人：合肥奕斯伟封测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：