半导体器件制造技术

半导体器件包括移位控制电路和合成预充电信号生成电路。移位控制电路基于读取命令来生成移位信号和移位读取信号，并且基于移位信号和自动预充电命令来控制移位读取信号的复位状态。合成预充电信号生成电路基于移位读取信号和地址来生成用于由所述地址选择的存储体的自动预充电操作的合成预充电信号。体的自动预充电操作的合成预充电信号。体的自动预充电操作的合成预充电信号。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年11月18日提交的申请号为10-2019-0148124的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的实施例涉及一种执行预充电操作的半导体器件。

技术介绍

[0004]在执行半导体器件的读取操作或写入操作之后，半导体器件可以执行预充电操作以对位线进行预充电。当生成用于读取操作或写入操作的命令时，可以利用基于命令生成预充电命令的方法和自动生成用于预充电操作的自动预充电命令的方法来执行预充电操作。

技术实现思路

[0005]根据一个实施例，一种半导体器件包括移位控制电路和合成预充电信号生成电路。移位控制电路被配置为基于读取命令来生成移位信号和移位读取信号，并且被配置为基于移位信号和自动预充电命令来控制移位读取信号的复位状态。合成预充电信号生成电路被配置为基于移位读取信号和地址来生成用于由所述地址选择的存储体的自动预充电操作的合成预充电信号。
[0006]根据另一个实施例，一种半导体器件包括移位读取信号生成电路、移位复位信号生成电路和合成预充电信号生成电路。移位读取信号生成电路被配置为将读取命令移位以生成移位信号和移位读取信号。移位复位信号生成电路被配置为基于移位信号来锁存自动预充电命令，以生成用于将移位读取信号复位的移位复位信号。合成预充电信号生成电路被配置为基于移位读取信号和地址来生成用于由所述地址选择的存储体的自动预充电操作的合成预充电信号。
附图说明
[0007]图1是图示了根据本公开的一个实施例的半导体系统的配置的框图。
[0008]图2是图示了包括在图1的半导体系统中的半导体器件的配置的框图。
[0009]图3图示了包括在图2的半导体器件中的自动预充电命令生成电路的配置。
[0010]图4图示了包括在图2的半导体器件中的移位复位信号生成电路的配置。
[0011]图5是图示了包括在图2的半导体器件中移位读取信号生成电路的配置的电路图。
[0012]图6是图示了包括在图2的半导体器件中的时段选择延迟电路的配置的框图。
[0013]图7和图8是图示了图2中所示的半导体器件的操作的时序图。
[0014]图9是图示了采用根据本公开的实施例的半导体器件的电子系统的配置的框图。
具体实施方式
[0015]在以下对实施例的描述中，当一个参数被称为“预定的”时，其可以旨在表示当该参数用在处理或算法中之前确定该参数的值。该参数的值可以在处理或算法开始时设置，或者可以在过程或算法执行的时间段期间设置。
[0016]将理解的是，尽管在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，在一些实施例中的第一元件可以在其他实施例中被称为第二元件。
[0017]此外，将理解的是，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接至另一元件，或者可以存在一个或多个中间元件。相反地，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，则不存在中间元件。
[0018]逻辑“高”电平和逻辑“低”电平可以用于描述电信号的逻辑电平。具有逻辑“高”电平的信号可以与具有逻辑“低”电平的信号区分开。例如，当具有第一电压的信号对应于具有逻辑“高”电平的信号时，具有第二电压的信号对应于具有逻辑“低”电平的信号。在一个实施例中，逻辑“高”电平可以被设置为比逻辑“低”电平的电压电平更高的电压电平。此外，信号的逻辑电平可以被设置为根据实施例而不同或相反。例如，在一个实施例中具有逻辑“高”电平的某个信号在另一实施例中可以被设置为具有逻辑“低”电平。
[0019]在下文中，参照附图详细地描述本公开的各种实施例。然而，所描述的实施例仅用于说明性目的，并非旨在限制本公开的范围。
[0020]图1是图示了根据本公开的实施例的半导体系统1的配置的框图。如图1所示，半导体系统1可以包括控制器11和半导体器件13。半导体器件13可以包括：自动预充电命令生成电路210、移位控制电路230、合成预充电信号生成电路250和预充电控制电路270。
[0021]控制器11可以包括：第一控制引脚111、第二控制引脚113和第三控制引脚114。半导体器件13可以包括：第一半导体引脚131、第二半导体引脚133和第三半导体引脚135。第一控制引脚111可以经由第一传输线L11连接至第一半导体引脚131。第二控制引脚113可以经由第二传输线L13连接至第二半导体引脚133。第三控制引脚114可以经由第三传输线L15连接至第三半导体引脚135。控制器11可以将命令CMD经由第一传输线L11发送至半导体器件13以控制半导体器件13。控制器11可以将时钟信号CLK经由第二传输线L13发送至半导体器件13以控制半导体器件13。控制器11可以将地址ADD经由第三传输线L15发送至半导体器件13以控制半导体器件13。
[0022]在生成读取命令(图2的RCMD)以执行读取操作的情况下，当生成自动预充电标志(图2的AP_F)以执行自动预充电操作时，自动预充电命令生成电路210可以生成用于执行伴随自动预充电操作的读取操作的自动预充电命令(图2的APCG)。
[0023]当生成自动预充电命令APCG时，移位控制电路230可以生成移位读取信号(图2的SFT_RD)，而当未生成自动预充电命令APCG时，移位控制电路230可以根据移位复位信号(图2的SFT_RST)来复位移位读取信号SFT_RD。
[0024]当生成移位读取信号SFT_RD时，合成预充电信号生成电路250可以生成用于对由地址ADD选择的存储体(未示出)进行自动预充电操作的合成预充电信号(图2的S_BK)。对于一些实施例，存储体是指存储器存储体。在未生成移位读取信号SFT_RD的情况下，当生成存
储体预充电信号(图2的P_BK)时，合成预充电信号生成电路250可以生成合成预充电信号S_BK。根据预充电命令，可以对由地址ADD选择的存储体(未示出)进行预充电操作生成存储体预充电信号P_BK。
[0025]预充电控制电路270可以基于合成预充电信号S_BK来控制预充电操作。当生成合成预充电信号S_BK时，预充电控制电路270可以控制由地址ADD选择的存储体的自动预充电操作或预充电操作。
[0026]图2是图示了半导体器件13的配置的框图。如图2所示，半导体器件13可以包括：命令解码器200、自动预充电命令生成电路210、移位控制电路230、合成预充电信号生成电路250、预充电控制电路270和核区域290。
[0027]命令解码器200可以基于时钟信号CLK和命令CMD来生成读取命令RCMD和自动预充电标志AP_F。命令解码器200可以同步于时钟信号CLK对命令CMD进行解码，以生成读取命令RCMD和自动预充电标志AP_F。可以生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：移位控制电路，其被配置为基于读取命令来生成移位信号和移位读取信号，并且被配置为基于所述移位信号和自动预充电命令来控制所述移位读取信号的复位状态；以及合成预充电信号生成电路，其被配置为基于所述移位读取信号和地址来生成用于由所述地址选择的存储体的自动预充电操作的合成预充电信号。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括命令解码器，所述命令解码器被配置为通过对命令进行解码来生成所述读取命令。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括自动预充电命令生成电路，所述自动预充电命令生成电路被配置为在生成所述读取命令时，基于自动预充电标志来生成所述自动预充电命令。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述移位控制电路包括移位读取信号生成电路，所述移位读取信号生成电路被配置为将所述读取命令移位以生成所述移位信号和所述移位读取信号，以及其中，当生成移位复位信号时，将所述移位信号和所述移位读取信号复位。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述移位控制电路包括移位复位信号生成电路，所述移位复位信号生成电路被配置为基于所述移位信号来锁存所述自动预充电命令以生成移位复位信号。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述移位复位信号生成电路包括：预命令锁存器，其被配置为锁存所述自动预充电命令以生成预锁存信号；以及命令锁存器，其被配置为同步于基于所述移位信号生成的锁存脉冲来锁存所述预锁存信号，以生成锁存信号。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述移位复位信号生成电路还包括复位信号合成电路，所述复位信号合成电路被配置为基于所述锁存信号和复位信号来生成用于将所述预锁存信号复位的合成复位信号。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述合成预充电信号生成电路包括时段选择延迟电路，所述时段选择延迟电路被配置为基于模式寄存器码来将所述移位读取信号延迟，以生成延迟的移位读取信号。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述模式寄存器码由模式寄存器组设定，以将所述移位读取信号延迟与读取到预充电时间相对应的时段。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述合成预充电信号生成电路还包括：存储体自动预充电信号生成电路，其被配置为基于所述地址和所述延迟的移位读取信号来生成存储体自动预充电信号；以及预充电信号合成电路，其被配置为基于所述存储体自动预...

【专利技术属性】
技术研发人员：金敬默，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：