多层配线基板及包括其的探针卡制造技术

本发明专利技术涉及一种兼备耐久性及耐化学性的多层配线基板及包括其的探针卡。

【技术实现步骤摘要】
多层配线基板及包括其的探针卡
本专利技术涉及一种包含不同的材料的多层配线基板及包括其的探针卡。
技术介绍
近来，由于半导体元件的微小化，要求半导体元件的电极微型化及窄节距化且要求探针卡的探针也变细。探针卡可在探针与印刷电路板(printedcircuitboard，PCB)基板之间配置配线基板，以补偿窄节距的探针与PCB基板之间的节距间的差异。配线基板在内部配置有用于配置配线的贯通孔。贯通孔由于探针的窄节距化而要求贯通孔节距间隔是窄节距。以往的配线基板主要包含机械强度高的氧化铝烧结体或莫来石(mullite)烧结体。如上所述的烧结陶瓷材料的配线基板可通过如下过程来制造。首先，可提供氧化铝粉末或莫来石粉末来制造陶瓷生片(greensheet)。在此之后，可执行形成贯通孔的过程。在此情况下，贯通孔可通过使用激光或钻头(drill)的机械加工方法形成。在此之后，可执行利用导体膏形成配线的过程。重复执行如上所述的过程，可提供多个陶瓷生片。可在将多个生片层叠之后，在1350℃以上至1600℃以下的高温下烧结，从而形成烧结陶瓷配线基板。如上所述，可使用利用激光或钻头的机械加工以在陶瓷生片中形成贯通孔。然而，由于机械加工方法必须考虑到机械误差来加工贯通孔，因此在实现贯通孔的窄节距化的方面存在限制。因此，烧结陶瓷配线基板具有难以配置窄节距的贯通孔的问题。另外，烧结陶瓷配线基板通过1350℃以上至1600℃以下的高温烧成工艺制造而成。因此，需要具有高熔点的物质(例如，钼(Mo)、钨(W))作为配线基板所包括的配线的构成。其原因在于在由具有低熔点的物质构成配线的情况下，在低于高温烧成工艺温度的温度下会熔化而无法烧成。然而，在通孔导体包含具有高熔点的物质的情况下，由于高电阻的特性而可能会使配线电阻增大。因此，存在配线基板的电信号传递功能下降的问题。另一方面，作为关于包括包含阳极氧化膜材料的配线基板的探针卡的专利，已知记载在韩国公开专利第10-2017-0139321号(以下称为“专利文献2”)中。专利文献2可包括多个单位阳极氧化膜片、各向异性导电膏及探针构成。在专利文献2中，可通过各向异性导电膏来将层叠有多个的单位阳极氧化膜片彼此接合且通过单位阳极氧化膜片内部所包含的导体电连接探针。探针卡(具体来说，微机电(micro-electro-mechanicalsystem，MEMS)探针卡)可在配置有与探针电连接的连接垫的一侧执行MEMS工艺来配置探针。具体来说，为了配置探针，在连接垫上部配置掩蔽(masking)材料层并通过光刻胶(photoresist)工艺进行图案化以暴露出连接垫的上表面，然后可重复执行以下过程：在图案化的位置处配置金属物质，沉积晶种(seed)层并在其上部配置掩蔽材料层，然后进行图案化，在图案化的位置填充金属物质。在此之后，可使用碱性溶液对除金属物质以外的其余部分执行蚀刻工艺来形成探针。如上所述，在MEMS探针卡的情况下，可执行在连接垫的上部形成探针的工艺，从而将连接垫与探针彼此接合。在此情况下，在包括仅包含阳极氧化膜材料的配线基板的情况下，在使用碱性溶液去除存在于金属物质周边的掩蔽材料层及晶种层的过程中，可能会发生配线基板被碱性溶液溶解的问题。在阳极氧化膜材料的情况下，由于会被碱性溶液溶解，因此如MEMS探针卡般可能相对容易受到在连接垫的上部直接形成探针并进行接合的工艺的影响。另一方面，配线基板也可包含烧结陶瓷材料。就对碱性溶液的耐化学性方面而言，烧结陶瓷材料可能更有利。如上所述，在以往，由于配线基板包含阳极氧化膜材料、烧结陶瓷材料中的一种，因此不可能同时利用所述材料的优点。因此，会引起由各材料的缺点带来的问题。对此，本专利技术的申请人欲提出一种在现有专利技术中没有考虑到的多层配线基板。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本注册专利JP5122935B2[专利文献2]韩国公开专利第10-2017-0139321号
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]本专利技术是为了解决所述的问题而提出的，其目的在于提供一种可实现贯通孔的窄节距化并快速地执行电信号传递功能的多层配线基板。另外，本专利技术的目的在于提供一种将不同材料的配线基板接合在一起且耐久性及耐化学性优异的多层配线基板及包括其的探针卡。[解决问题的技术手段]根据本专利技术的一特征的多层配线基板，包括：多层部，所述多层部包括如下构成：第一配线层，包含阳极氧化膜材料且包括第一配线部；以及第二配线层，包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且包含与所述第一配线层不同的材料并配置在所述第一配线层的至少一侧。另外，在所述第一配线层的至少任一个表面配置有薄膜层。另外，在所述第一配线层中，单位阳极氧化膜层上下层叠并通过接合层彼此接合。另外，所述不同的材料包括烧结陶瓷材料。另外，所述不同的材料包括树脂材料。另外，所述多层部配置有多个并通过接合层上下接合。另外，还包括：第三配线层，配置在所述第一配线层的至少一侧，且包含与所述第一配线层及所述第二配线层不同的材料。根据本专利技术的一特征的多层配线基板，包括：阳极氧化膜配线基板，包含阳极氧化膜材料，且包括第一配线部；以及烧结陶瓷配线基板，包含烧结陶瓷材料，且包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且与所述阳极氧化膜配线基板上下接合。另外，所述阳极氧化膜配线基板是：单位阳极氧化膜配线基板上下层叠多个而形成，所述单位阳极氧化膜配线基板包括主体部及表层部，所述主体部包括配置在第一贯通孔内部的垂直配线部，所述表层部配置在所述主体部的表面，且包括水平配线部与配置在所述水平配线部周边的接合层。另外，烧结陶瓷配线基板是如下配线基板：将包含氧化铝粉末或莫来石粉末的陶瓷生片高温烧结，从而烧结而成。另外，所述第一配线部、所述第二配线部是包含Ag、Cu、Au、Pd、Pt的低电阻金属物质。另外，所述单位阳极氧化膜配线基板通过接合层接合。另外，所述接合层包含感光性材料。另外，所述阳极氧化膜配线基板是：单位阳极氧化膜配线基板上下层叠多个而形成，所述单位阳极氧化膜配线基板包括主体部、第一表层部及第二表层部，所述主体部包括配置在第一贯通孔内部的垂直配线部，所述第一表层部配置在所述主体部的至少任一个表面且包括垂直配线部与配置在所述垂直配线部周边的第一接合层，所述第二表层部配置在所述主体部的其余一个表面且包括水平配线部与配置在所述水平配线部周边的第二接合层。根据本专利技术的另一特征的探针卡，包括：阳极氧化膜配线基板，包含阳极氧化膜材料，且包括第一配线部；烧结陶瓷配线基板，包含烧结陶瓷材料，且包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且与所述阳极氧化膜配线基板上下接合；第一连接垫，配置在所述阳极氧化膜配线基板的下部；第二连接垫，配置在所述烧结陶瓷配线基板的上部；以及探针，电连接到所述第二连接垫。[专利技术的效果]本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层配线基板，包括：/n多层部，所述多层部包括以下构成：/n第一配线层，包含阳极氧化膜材料且包括第一配线部；以及/n第二配线层，包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且包含与所述第一配线层不同的材料并配置在所述第一配线层的至少一侧。/n

【技术特征摘要】
20191105 KR 10-2019-0140065;20200206 KR 10-2020-001.一种多层配线基板，包括：
多层部，所述多层部包括以下构成：
第一配线层，包含阳极氧化膜材料且包括第一配线部；以及
第二配线层，包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且包含与所述第一配线层不同的材料并配置在所述第一配线层的至少一侧。


2.根据权利要求1所述的多层配线基板，其中
在所述第一配线层的至少任一个表面配置有薄膜层。


3.根据权利要求1所述的多层配线基板，其中
在所述第一配线层中，单位阳极氧化膜层上下层叠并通过接合层彼此接合。


4.根据权利要求1所述的多层配线基板，其中
不同的所述材料包括烧结陶瓷材料。


5.根据权利要求1所述的多层配线基板，其中
不同的所述材料包括树脂材料。


6.根据权利要求1所述的多层配线基板，其中
所述多层部配置有多个并通过接合层上下接合。


7.根据权利要求1所述的多层配线基板，还包括：
第三配线层，配置在所述第一配线层的至少一侧，且包含与所述第一配线层及所述第二配线层不同的材料。


8.一种多层配线基板，其特征在于，包括：
阳极氧化膜配线基板，包含阳极氧化膜材料，且包括第一配线部；以及
烧结陶瓷配线基板，包含烧结陶瓷材料，且包括与所述第一配线部电连接的第二配线部，且与所述阳极氧化膜配线基板上下接合。


9.根据权利要求8所述的多层配线基板，其特征在于
所述阳极氧化膜配线基板是：
单位阳极氧化膜配线基板上下层叠多个而形成，所述单...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR