存储器器件制造技术

本发明专利技术实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包含上覆于衬底的相变元件(PCE)。底部电极通孔安置于衬底上方。顶部电极上覆于底部电极通孔。相变元件安置于底部电极通孔与顶部电极之间。相变元件包括硫族化物材料。硫族化物材料包括第一原子百分比的第一元素、第二原子百分比的硫族元素以及第三原子百分比的第一掺杂剂。第三原子百分比小于第一原子百分比且小于第二原子百分比。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件
本专利技术实施例涉及一种存储器器件。
技术介绍
闪存存储器是广泛使用的非易失性存储器类型。然而，预期闪存存储器会遇到缩放困难。因此，正在研究非易失性存储器的替代类型。非易失性存储器的这些替代类型之一是相变存储器(phasechangememory；PCM)。PCM是采用相变元件的相来表示数据单元的非易失性存储器的类型。PCM具有快速读取和写入时间、非破坏性读取以及高可缩放性。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种存储器器件包含：衬底；底部电极通孔，上覆于衬底；顶部电极，上覆于底部电极通孔；以及相变元件(PCE)，安置于顶部电极与底部电极通孔之间，其中PCE包括硫族化物材料，其中硫族化物材料包括第一原子百分比的第一元素、第二原子百分比的硫族元素以及第三原子百分比的第一掺杂剂，其中第三原子百分比小于第一原子百分比且小于第二原子百分比。本专利技术实施例的一种集成电路(IC)，所述集成电路包含：衬底；绝缘体层，上覆于衬底；以及相变存储器(PCM)单元，安置于衬底上方，其中PCM单元包括顶部电极、底部电极通孔以及安本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：/n衬底；/n底部电极通孔，上覆于所述衬底；/n顶部电极，上覆于所述底部电极通孔；以及/n相变元件，安置于所述顶部电极与所述底部电极通孔之间，其中所述相变元件包括硫族化物材料，其中所述硫族化物材料包括第一原子百分比的第一元素、第二原子百分比的硫族元素以及第三原子百分比的第一掺杂剂，其中所述第三原子百分比小于所述第一原子百分比且小于所述第二原子百分比。/n

【技术特征摘要】
20191101 US 16/671,3711.一种存储器器件，包括：
衬底；
底部电极通孔，上覆于所述衬底；
顶部电极，上覆于所述底部电极通孔；以及
相变元件，安置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71