在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，包含：第一步，在制作RRAM的相应的第一介质层及接触孔钨栓填充之后，对第一介质层及接触孔钨栓进行平坦化研磨；第二步，在整个器件表面再沉积第二介质层，覆盖第一介质层及接触孔钨栓；第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；第四步，利用刻蚀工艺去除窗口内的第二介质层，露出接触孔钨栓；第五步，去除光刻胶；第六步，在整个器件表面沉积底电极导电介质层；第七步，进行CMP工艺，对沉积的底电极导电介质层进行研磨。本方法形成的底电极层能够与接触孔钨栓保持良好的接触，且底电极层的厚度由第二介质层的厚度来进行控制，具有较好的厚度均一性，能显著提升的性能。

【技术实现步骤摘要】
在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法。
技术介绍
阻变式存储器（RRAM，ResistiveRandomAccessMemory)）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。RRAM是一种根据施加在金属氧化物(MetalOxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存。简单来说RRAM是一种新型电脑存储器，它基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。RRAM通过允许或者拒绝电子流过，相应地代表数字“0”或者“1”。RRAM可以完成传统的硅材料无法完成的工作，例如：分层时位于新型三维（high-rise）芯片的晶体管的顶部。它是智能手机和其他移动电子设备的理想材料，因为节能对于这些产品来说很重要。RRAM之所以能获得市场的青睐，很大一部分原因在于它具有速度快、可靠性高、非挥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：包含：/n第一步，在制作RRAM的相应的第一介质层及接触孔钨栓填充之后，对第一介质层及接触孔钨栓进行研磨，使整个表面平坦化；/n第二步，在整个器件表面再沉积一层第二介质层，覆盖在第一介质层及接触孔钨栓上；/n第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；/n第四步，利用刻蚀工艺去除窗口内的第二介质层，露出接触孔钨栓；/n第五步，去除光刻胶；/n第六步，在整个器件表面沉积底电极导电介质层；/n第七步，进行CMP工艺，对沉积的底电极导电介质层进行研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：包含：
第一步，在制作RRAM的相应的第一介质层及接触孔钨栓填充之后，对第一介质层及接触孔钨栓进行研磨，使整个表面平坦化；
第二步，在整个器件表面再沉积一层第二介质层，覆盖在第一介质层及接触孔钨栓上；
第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；
第四步，利用刻蚀工艺去除窗口内的第二介质层，露出接触孔钨栓；
第五步，去除光刻胶；
第六步，在整个器件表面沉积底电极导电介质层；
第七步，进行CMP工艺，对沉积的底电极导电介质层进行研磨。


2.如权利要求1所述的在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：所述第一步中，所述接触孔贯穿第一介质层，所述第一介质层为氧化硅层；所述研磨采用CMP工艺。


3.如权利要求1所述的在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：所述第二步中，沉积的氧化硅层的厚度需至少满足底电极金属层与介质层内金属层接触所需要的最低厚度。


4.如权利要求1所述的在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：所述第三步中，光刻胶打开底电极形成区域的窗口，窗口内露出第二介质层，第二介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜怡行，顾林，何应春，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32