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本发明公开了一种在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，包含：第一步，在制作RRAM的相应的第一介质层及接触孔钨栓填充之后，对第一介质层及接触孔钨栓进行平坦化研磨；第二步，在整个器件表面再沉积第二介质层，覆盖第一介质层及接触孔钨...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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