在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，包含：第一步，在制作RRAM的相应介质层及金属层制备完成之后，进行CMP工艺对金属层进行研磨，研磨至介质层停止；第二步，在整个器件晶圆表面再沉积一层氧化硅层；第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；第四步，利用湿法刻蚀工艺去除窗口内的氧化硅层，露出金属层；第五步，去除光刻胶，沉积底电极金属层；第六步，进行CMP工艺，对沉积的底电极金属层进行研磨。本发明专利技术先定义出RRAM底电极的沉积区域，利用CVD法沉积出一层具有一定厚度的氧化硅层，然后湿法刻蚀去除底电极连接窗口内的氧化硅层，保证了底电极的厚度和均匀性，有利于RRAM器件的编程及擦除性能的提升。

【技术实现步骤摘要】
在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法。
技术介绍
阻变式存储器（RRAM，ResistiveRandomAccessMemory)）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。RRAM是一种根据施加在金属氧化物(MetalOxide)上的电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存。简单来说RRAM是一种新型电脑存储器，它基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。RRAM通过允许或者拒绝电子流过，相应地代表数字“0”或者“1”。RRAM可以完成传统的硅材料无法完成的工作，例如：分层时位于新型三维（high-rise）芯片的晶体管的顶部。它是智能手机和其他移动电子设备的理想材料，因为节能对于这些产品来说很重要。RRAM之所以能获得市场的青睐，很大一部分原因在于它具有速度快、可靠性高、非挥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：包含：/n第一步，在制作RRAM的相应的介质层及金属层制备完成之后，进行CMP工艺对金属层进行研磨，研磨至介质层停止；/n第二步，在整个器件晶圆表面再沉积一层氧化硅层，覆盖在介质层及金属层上；/n第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；/n第四步，利用湿法刻蚀工艺去除窗口内的氧化硅层，露出金属层；/n第五步，去除光刻胶，沉积底电极金属层；/n第六步，进行CMP工艺，对沉积的底电极金属层进行研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：包含：
第一步，在制作RRAM的相应的介质层及金属层制备完成之后，进行CMP工艺对金属层进行研磨，研磨至介质层停止；
第二步，在整个器件晶圆表面再沉积一层氧化硅层，覆盖在介质层及金属层上；
第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；
第四步，利用湿法刻蚀工艺去除窗口内的氧化硅层，露出金属层；
第五步，去除光刻胶，沉积底电极金属层；
第六步，进行CMP工艺，对沉积的底电极金属层进行研磨。


2.如权利要求1所述的在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：所述第一步中，所述金属层内嵌于相应的介质层中，根据设计的RRAM所在层次对相应金属层进行研磨，研磨后介质层中的金属层上表面与介质层的上表面平齐。


3.如权利要求1所述的在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于：所述的介质层为氧化硅层。


4.如权利要求1所述的在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜怡行，顾林，何应春，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32