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本发明公开了一种在MOSFET铜介质上沉积RRAM底电极的工艺方法，包含：第一步，在制作RRAM的相应介质层及金属层制备完成之后，进行CMP工艺对金属层进行研磨，研磨至介质层停止；第二步，在整个器件晶圆表面再沉积一层氧化硅层；第三步，涂覆光...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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