相变存储器的制造方法技术

本公开提供了一种相变存储器的制造方法，包括：提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，衬底上形成有互连线和覆盖互连线的第一介质层；互连线，用于连接相变存储器的外围电路和地址线连接部；第一介质层包括位于器件区域中的第一部分和位于对位区域中的第二部分；对准对位区域中第一条互连线的位置，在所述第二部分中形成第一对位凹槽；第一对位凹槽的深度，小于所述第二部分的深度；形成覆盖第一介质层的存储器材料层；其中，位于对位区域中的部分存储器材料层共性地覆盖第一对位凹槽，并基于第一对位凹槽的形貌形成第一子凹槽；基于第一子凹槽，在对准对位区域中第二条互连线的位置，形成贯穿存储器材料层的第二对位凹槽。

【技术实现步骤摘要】
相变存储器的制造方法
本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种相变存储器的制造方法。
技术介绍
相变存储器的器件区域用于设置器件结构。器件结构包括存储单元阵列和外围电路，存储单元阵列主要用于储存数据，外围电路主要用于实现相变存储器操作(读取操作、写操作等)的功能控制。在相变存储器的制造过程中，通常会利用衬底对位区域中的对位结构(alignmentmark)进行对位控制，实现衬底器件区域中形成的器件结构之间的对准。
技术实现思路
本公开实施例提供一种相变存储器的制造方法，包括：提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，所述衬底上形成有互连线和覆盖所述互连线的第一介质层；所述互连线，用于连接所述相变存储器的外围电路和地址线连接部；所述第一介质层包括位于所述器件区域中的第一部分，和位于所述对位区域中的第二部分；对准所述对位区域中第一条互连线的位置，在所述第一介质层的第二部分中形成第一对位凹槽；其中，所述第一对位凹槽的深度，小于所述第一介质层第二部分的深度；形成覆盖所述第一介质层的存储器材料层；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，所述衬底上形成有互连线和覆盖所述互连线的第一介质层；所述互连线，用于连接所述相变存储器的外围电路和地址线连接部；所述第一介质层包括位于所述器件区域中的第一部分，和位于所述对位区域中的第二部分；/n对准所述对位区域中第一条互连线的位置，在所述第一介质层的第二部分中形成第一对位凹槽；其中，所述第一对位凹槽的深度，小于所述第一介质层第二部分的深度；/n形成覆盖所述第一介质层的存储器材料层；其中，位于所述对位区域中的部分所述存储器材料层共性地覆盖所述第一对位凹槽，并基于所述第一对位凹槽的形貌形成第一子凹槽；/n...

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，所述衬底上形成有互连线和覆盖所述互连线的第一介质层；所述互连线，用于连接所述相变存储器的外围电路和地址线连接部；所述第一介质层包括位于所述器件区域中的第一部分，和位于所述对位区域中的第二部分；
对准所述对位区域中第一条互连线的位置，在所述第一介质层的第二部分中形成第一对位凹槽；其中，所述第一对位凹槽的深度，小于所述第一介质层第二部分的深度；
形成覆盖所述第一介质层的存储器材料层；其中，位于所述对位区域中的部分所述存储器材料层共性地覆盖所述第一对位凹槽，并基于所述第一对位凹槽的形貌形成第一子凹槽；
基于所述第一子凹槽，在对准所述对位区域中第二条互连线的位置，形成贯穿所述存储器材料层的第二对位凹槽。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述第二对位凹槽后，形成贯穿所述存储器材料层的多个电绝缘的隔离结构，以形成多个彼此电隔离的存储单元。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述形成贯穿所述存储器材料层的多个电绝缘的隔离结构，包括：
刻蚀位于所述器件区域中的所述存储器材料层，形成贯穿所述存储器材料层的隔离沟槽；向所述隔离沟槽中填充绝缘材料，形成所述隔离结构；
所述方法还包括：
在形成所述隔离沟槽的同时，刻蚀所述对位区域中所述第二对位凹槽底部显露的第一介质层以形成第二子凹槽，且刻蚀所述第一子凹槽底部显露的第一介质层以形成第三子凹槽；
其中，所述第二子凹槽的底部与所述第二条互连线之间设置有部分所述第一介质层，所述第三子凹槽的底部与所述第一条互连线之间设置有部分所述第一介质层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述第一对位凹槽之前，在所述器件区域形成贯穿所述第一介质层且延伸至所述互连线的第一孔；
向所述第一孔中填充导电材料，以形成所述地址线连接部。

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【专利技术属性】
技术研发人员：高王荣，田宝毅，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42