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本公开提供了一种相变存储器的制造方法，包括：提供包括器件区域和对位区域的衬底；其中，衬底上形成有互连线和覆盖互连线的第一介质层；互连线，用于连接相变存储器的外围电路和地址线连接部；第一介质层包括位于器件区域中的第一部分和位于对位区域中的第二...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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