电子器件及其制造方法技术

本文提供的可以是包括半导体存储器的电子器件。所述半导体存储器可以包括：行线；绝缘线，其平行于行线延伸；列线，其与行线和绝缘线交叉并设置在行线和绝缘线之上；存储单元，其分别设置在行线与列线之间的交叉点处；以及虚设存储单元，其分别设置在绝缘线与列线之间的交叉点处。

【技术实现步骤摘要】
电子器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月8日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0124871的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于本文中。
本专利技术的各种实施例总体而言涉及一种电子器件，更具体而言，涉及包括半导体存储器的电子器件以及制造该电子器件的方法。
技术介绍
近来，随着电子设备的小型化、低功耗、高性能和多样化的要求，在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子设备中需要被配置为存储信息的半导体器件。因此，已经进行了如下半导体器件的研究：所述半导体器件被配置为利用根据所施加的电压或电流在不同电阻相之间进行切换的特性来存储数据。这种半导体器件的示例包括：电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电熔丝等。
技术实现思路
本公开的一个实施例致力于一种包括半导体存储器的电子器件。所述半导体存储器可以包括：行线；绝缘线，其平行于所述行线延伸；列线，其与所述行线和所述绝缘线交叉并且设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括半导体存储器的电子器件，其中，所述半导体存储器包括：/n行线；/n绝缘线，所述绝缘线平行于所述行线延伸；/n列线，所述列线与所述行线和所述绝缘线交叉并且设置在所述行线和所述绝缘线之上；/n存储单元，所述存储单元分别设置在所述行线与所述列线之间的交叉点处；以及/n虚设存储单元，所述虚设存储单元分别设置在所述绝缘线与所述列线之间的交叉点处。/n

【技术特征摘要】
20191008 KR 10-2019-01248711.一种包括半导体存储器的电子器件，其中，所述半导体存储器包括：
行线；
绝缘线，所述绝缘线平行于所述行线延伸；
列线，所述列线与所述行线和所述绝缘线交叉并且设置在所述行线和所述绝缘线之上；
存储单元，所述存储单元分别设置在所述行线与所述列线之间的交叉点处；以及
虚设存储单元，所述虚设存储单元分别设置在所述绝缘线与所述列线之间的交叉点处。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述存储单元中的每个包括：下电极、开关层、中间电极、可变电阻层和上电极，并且，所述虚设存储单元中的每个包括：开关层、中间电极、可变电阻层和上电极。


3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述绝缘线中的每个的上表面设置在与所述下电极的上表面的水平基本相同的水平。


4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述存储单元中的每个包括：下电极、开关层、中间电极、可变电阻层和上电极，并且，所述虚设存储单元中的每个包括：下电极、开关层、中间电极、可变电阻层和上电极。


5.根据权利要求4所述的电子器件，其中，所述绝缘线中的每个的上表面设置在与所述行线中的每个的上表面的水平基本相同的水平。


6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述行线中的每个具有上宽度和下宽度，所述下宽度大于所述上宽度。


7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述绝缘线中的每个具有上宽度和下宽度，所述下宽度大于所述上宽度。


8.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述行线中的每个的至少一部分和所述绝缘线中的每个的至少一部分设置在基本相同的水平。


9.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述虚设存储单元被电禁止。


10.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述绝缘线设置在单元阵列的边缘处。


11.一种制造包括半导体存储器的电子器件的方法，所述方法包括：
设置包括单元区和虚设区的基底层；
在所述基底层上形成第一导电材料层；
通过刻蚀设置在所述虚设区中的所述第一导电材料层来形成虚设沟槽；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永三，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR