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本发明实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包含上覆于衬底的相变元件(PCE)。底部电极通孔安置于衬底上方。顶部电极上覆于底部电极通孔。相变元件安置于底部电极通孔与顶部电极之间。相变元件包括硫族化物材料。硫族化物材料包括第一原子百分比的第一元...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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