一种三维存储器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种三维存储器，包括堆叠结构、第一栅线切口、第二栅线切口、第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构，其中，堆叠结构在水平方向上划分为核心区域与台阶区域；第一栅线切口与第二栅线切口平行排列并往第一水平方向延伸，第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构位于台阶区域并在第二水平方向上依次排列。本发明专利技术中，虚设结构采用长条沟槽型设计，虚设结构之间的空间较小，可以保证虚设结构稳固的支撑功能。虚设结构与接触结构上下错开，以及虚设结构面对接触结构的区域采用缩进渐变设计，可以同时增加接触结构与虚设结构在两个方向上的对准偏移窗口。直线排列的虚设结构避免了之字形排列对栅线切口的影响，有利于降低栅线切口的工艺难度。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器及其制作方法
本专利技术属于半导体集成电路
，涉及一种三维存储器及其制作方法。
技术介绍
三维存储器包括3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。在3DNOR闪存中，存储单元在位线和地线之间并联排列，而在3DNAND闪存中，存储单元在位线和地线之间串列排列。3DNAND闪存具有较低的读取速度，但是却具有较高的写入速度，适合用于存储数据，其优点在于体积小、容量大。3DNAND闪存随着存储层数的不断增加，核心区沟道孔(CH)和台阶区虚设沟道孔(DummyCH，简称DCH)的分版已经成为主流趋势，且台阶区虚设沟道孔利用二氧化硅填充。由于采用了二氧化硅作为DCH填充物，与传统的氧化硅-氮化硅-氧化硅-多晶硅(ONOP)填充的DCH相比，其支撑作用会相对较弱，在经过底部选择栅(BSG)氧化以及金属栅填充之后，DCH会有偏移，且DCH与接触结构的X方向对准(OVL)偏移比较大，需要进行DCH的掩膜版校正，导致生产周期变长。因此，如何提供一种新的三维存储器及其制作方法，以在保证虚设沟道孔稳固的支撑功能的同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：/n堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的介质层与导电层，所述堆叠结构在垂直于所述垂直方向的水平方向上划分为核心区域与台阶区域；/n平行排列的第一栅线切口与第二栅线切口，在所述垂直方向上贯穿所述堆叠结构，并往垂直于所述垂直方向的第一水平方向延伸；/n位于所述台阶区域并在第二水平方向上依次排列的第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向且垂直于所述垂直方向，所述第一虚设结构位于所述第一栅线切口与所述接触结构之间，所述第二虚设结构位于所述第二栅线切口与所述接触结构之间；/n其中，所述第一虚设结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述...

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的介质层与导电层，所述堆叠结构在垂直于所述垂直方向的水平方向上划分为核心区域与台阶区域；
平行排列的第一栅线切口与第二栅线切口，在所述垂直方向上贯穿所述堆叠结构，并往垂直于所述垂直方向的第一水平方向延伸；
位于所述台阶区域并在第二水平方向上依次排列的第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向且垂直于所述垂直方向，所述第一虚设结构位于所述第一栅线切口与所述接触结构之间，所述第二虚设结构位于所述第二栅线切口与所述接触结构之间；
其中，所述第一虚设结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述第一虚设结构在所述第二水平方向上的宽度，所述第二虚设结构在所述第一水平方向上的宽度大于所述第二虚设结构在所述第二水平方向上的宽度。


2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述第一虚设结构与所述第二虚设结构均包括在所述第一水平方向上依次相连的第一段、第二段及第三段，所述第二段与所述接触结构在所述第二水平方向上位于同一直线上，所述第二段在所述第二水平方向上的宽度小于所述第一段及所述第三段在所述第二水平方向上的宽度。


3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于：在所述第一水平方向上，所述第二段在所述第二水平方向上的宽度先逐渐减小，再逐渐增大。


4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述接触结构在所述第一水平方向上的滑动轨迹与所述第一虚设结构在所述第一水平方向上的滑动轨迹没有重叠部分，所述接触结构在所述第一水平方向上的滑动轨迹与所述第二虚设结构在所述第一水平方向上的滑动轨迹没有重叠部分。


5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于：所述三维存储器包括在第一直线上间隔排列的多个所述第一虚设结构、在第二直线上间隔排列的多个所述接触结构及在第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张强威，许宗珂，袁彬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42