三维存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种三维存储器及其制造方法；其中，方法包括：提供层叠在衬底上的第一子堆叠结构；所述第一子堆叠结构包括若干间隔排列的第一介质层和第二介质层；第一子沟道孔穿过所述第一子堆叠结构；在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层；其中，在形成所述第一牺牲层后，所述第一子沟道孔的侧壁中所述第一子堆叠结构顶部的第一介质层的部分裸露，且所述第一子堆叠结构中除顶部的第一介质层之外的其余的第一介质层的部分不裸露；对所述顶部的第一介质层进行第一刻蚀，去掉部分所述顶部的第一介质层，以增大裸露的侧壁部分对应的径宽；其中，在进行所述第一刻蚀时，刻蚀物质对所述第一介质层的刻蚀速度大于对所述第一牺牲层的刻蚀速度。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器的制造方法。
技术介绍
三维存储器通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决二维或者平面闪存带来的限制，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，进而有效降低成本和能耗。然而，随着垂直堆叠数据存储单元的层数的不断增加，在堆叠结构中进行深孔刻蚀一次性形成沟道孔的难度越来越高。实际应用中，采用子沟道孔叠加的制造方法来降低一次性形成沟道孔的工艺难度。子沟道孔叠加的制造方法具体为：在最底层的子堆叠结构上先进行刻蚀形成贯穿最底层的子堆叠结构的最底层子沟道孔，再在最底层的子堆叠结构上依次形成第二个子堆叠结构及贯穿该子堆叠结构的子沟道孔。接下来，在第二个子堆叠结构及第二个子堆叠结构的子沟道孔上依次形成第三个子堆叠结构及第三个子堆叠结构的子沟道孔。重复上述方法，直到形成最终的堆叠结构和沟道孔。其中，叠加时每个子堆叠结构中的子沟道孔均连通，所有连通的子沟道孔一起形成最终的沟道孔。然而，相关技术中采用子沟道孔叠加的制造方法形成的最终沟道孔时，存在子沟道孔间对准困难的问题。...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供层叠在衬底上的第一子堆叠结构；所述第一子堆叠结构包括间隔排列的第一介质层和第二介质层；第一子沟道孔穿过所述第一子堆叠结构；/n在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层；其中，在形成所述第一牺牲层后，所述第一子沟道孔的侧壁中所述第一子堆叠结构顶部的第一介质层的部分裸露，且所述第一子堆叠结构中除顶部的第一介质层之外的其余第一介质层的部分不裸露；/n对所述顶部的第一介质层进行第一刻蚀，去掉部分所述顶部的第一介质层，以增大裸露的侧壁部分对应的径宽；其中，在进行所述第一刻蚀时，刻蚀物质对所述第一介质层的刻蚀速度大于对所述第一牺牲层的刻蚀速度。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供层叠在衬底上的第一子堆叠结构；所述第一子堆叠结构包括间隔排列的第一介质层和第二介质层；第一子沟道孔穿过所述第一子堆叠结构；
在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层；其中，在形成所述第一牺牲层后，所述第一子沟道孔的侧壁中所述第一子堆叠结构顶部的第一介质层的部分裸露，且所述第一子堆叠结构中除顶部的第一介质层之外的其余第一介质层的部分不裸露；
对所述顶部的第一介质层进行第一刻蚀，去掉部分所述顶部的第一介质层，以增大裸露的侧壁部分对应的径宽；其中，在进行所述第一刻蚀时，刻蚀物质对所述第一介质层的刻蚀速度大于对所述第一牺牲层的刻蚀速度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅，所述第二介质层的材料包括氮化硅，所述第一牺牲层的材料包括碳。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述顶部的第一介质层进行第一刻蚀的步骤中使用湿法刻蚀；所述湿法刻蚀采用氢氟酸执行。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层，包括：
在所述第一子沟道孔中填充第一材料，形成第一材料层；
对所述第一材料层进行第二刻蚀，去除部分第一材料层，形成所述第一牺牲层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层；
在形成有第二牺牲层的衬底上形成第二子堆叠结构以及穿过所述第二子堆叠结构的第二子沟道孔；其中，所述第二子沟道孔延伸至所述第一子沟道孔中。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层，包括：
在所述第一子沟道孔中填充第二材料，以在所述第一牺牲层上形成第二材料层；
对所述第二材料层的顶面进行抛光处理，得到第二牺牲层；其中，所述第二牺牲层的顶面与所述第一子堆叠结构的顶面平齐。


7.根据权利要求5所述的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋志超，罗兴安，张高升，张春雷，胡淼龙，郑晓芬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42