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本发明提供了一种三维存储器及其制造方法；其中，方法包括：提供层叠在衬底上的第一子堆叠结构；所述第一子堆叠结构包括若干间隔排列的第一介质层和第二介质层；第一子沟道孔穿过所述第一子堆叠结构；在所述第一子沟道孔中形成第一牺牲层；其中，在形成所述第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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