发光二极管和发光二极管的制造方法技术

一种发光二极管(LED)包括：器件基板；第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管和发光二极管的制造方法
本公开涉及发光二极管(LED)和LED的制造方法，更具体地，涉及因为以倒装芯片型形成而被最小化的LED、以及具有改进的制造效率的LED的制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)不仅被广泛用作用于照明装置的光源，而且被广泛用作用于诸如电视(TV)、移动电话、移动设备、平板设备、个人计算机(PC)、膝上型PC和个人数字助理(PDA)之类的各种电子产品的各种类型的显示装置的光源。正在开发与现有的LED相比反应速度快、功耗低且亮度高并且尺寸等于或小于100μm的微型LEI)，因此所述微型LED作为用于下一代显示器的LED越来越受欢迎。在微型LED中的倒装芯片型LED的情况下，这些LED具有这样的结构，即，该结构有利于在制造显示装置时小型化单个二极管、减轻单个二极管的重量和提高单个二极管的集成度同时还提高发光效率和传送过程的效率等。因此，这样的倒装芯片型LED正被应用到微型LED的领域。然而，在制造倒装芯片型LED的过程中，执行若干热处理步骤。因此，可能由于热膨胀系数的差异而出现翘曲现象、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管LED，包括：/n器件基板；/n第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；/n第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；/n有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；/n透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及/n第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，/n其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181015 KR 10-2018-01225231.一种发光二极管LED，包括：
器件基板；
第一半导体层，在所述器件基板上方并且掺杂有n型掺杂剂；
第二半导体层，在所述第一半导体层上方并且掺杂有p型掺杂剂；
有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；
透明电极层，与所述第二半导体层的上部相邻；以及
第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述器件基板和所述第一半导体层之间，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接，
其中，由所述有源层提供的光沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向照射到外部。


2.根据权利要求1所述的LED，其中，
所述n型掺杂剂是Si、Ge、Se、Te和C中的至少一种；并且
所述p型掺杂剂是Mg、Zn、Be、Ca、Sr和Ba中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的LED，还包括：
反射层，在所述第一半导体层下方，
其中，所述反射层沿从所述有源层到所述第二半导体层的方向反射由所述有源层提供的光。


4.一种发光二极管LED，包括：
支撑基板；
第二半导体层，在所述支撑基板上方并且掺杂有p型掺杂剂；
第一半导体层，在所述第二半导体层上方并且掺杂有n型掺杂剂；
有源层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间并且被配置为提供光；
第一电极焊盘和第二电极焊盘，在所述第一半导体层上方，所述第一电极焊盘与所述第一半导体层电连接并且所述第二电极焊盘与所述第二半导体层电连接；
透明电极层，在所述第二半导体层下方；以及
分离层，在所述支撑基板和所述透明电极层之间。


5.根据权利要求4所述的LED，其中，所述支撑基板是砷化镓基板、蓝宝石基板、硅基板或塑料基板。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭度英，和田胜，具滋铭，金恩惠，朴相武，杨善雅，吴旼燮，李胤石，赵莹炅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR