【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及一种用于改善存储器访问性能的增强型AHB总 线协议,特别地,本专利技术涉及一种能够利用增强型AHB总线协议改 善SDRAM访问性能的存储器访问控制装置、存储器访问控制方法、 计算机程序及其存储介质。
技术介绍
随着对更强大和更灵活的计算设备的需求的增加,已开发出越来 越多的片上系统(SoC)。许多SoC包含由多个公司提供的专用集成电 路(ASIC)。先进RISC机器(ARM)微处理器在SoC解决方案中被普遍应 用。可以说,目前普遍认为ARM嵌入技术是用于便携应用的ASIC 设计的工业标准。因此,创造并使用强大、便携而且同时可重复利用 的、能够增强ARM内核的知识产权(IP),对于任何ASIC设计中心都 是至关重要的。先进微控制器总线体系结构(AMBA)是一种开放标准的片上总 线规范,该规范详细说明了构成SoC的功能块之间互连和管理的策 略。AMBA定义了一种在SoC内部多个块之间连接的信号协议。它 便于带有多个外围设备的嵌入式处理器(例如ARM微处理器)的开 发。AMBA通过为SoC模块定义一种公共总线结构提高了可重用设 计方法。SoC,尤其是基于ARM的SoC,很适合于通信应用,包括电缆 调制解调器、xDSL、 IP通话(VoIP)和因特网应用产品、手持设备(例 如个人数字助理)、GSM和UMTS系统、^字摄像机、手机等等。SoC也能^L用于汽车工业,例如车内处理任辛。随着SoC在上述通信和多媒体领域的善及,对高带宽的需求成 为SoC的瓶颈。先进高性能总线(AHB)是被广泛应用于工业的高性能 系统总线,而SDRAM是大部分SoC系统的 ...
【技术保护点】
一种存储器访问控制装置,该装置通过总线与存储器相连,所述装置包括: 至少一个与该总线相连的存储器访问主控,用于发出存储器访问指令,该指令包括HLEN信号,表示将要在该总线上传输的数据的突发长度;和 存储器访问控制器,该控制器与该至少一个存储器访问主控相耦合,用于基于该存储器访问主控产生的HLEN信号控制对存储器的访问。
【技术特征摘要】
1.一种存储器访问控制装置,该装置通过总线与存储器相连,所述装置包括至少一个与该总线相连的存储器访问主控,用于发出存储器访问指令,该指令包括HLEN信号,表示将要在该总线上传输的数据的突发长度;和存储器访问控制器,该控制器与该至少一个存储器访问主控相耦合,用于基于该存储器访问主控产生的HLEN信号控制对存储器的访问。2. 根据权利要求1的存储器访问控制装置,进一步包含HLEN 使能线,用于把HLEN使能信号施加给该存储器访问控制器。3. 根据权利要求2的存储器访问控制装置,其中该存储器访问 控制装置支持AHB系统总线,并且该存储器访问主控进一步依照该 AHB系统总线产生HBURST信号。4. 根据权利要求3的存储器访问控制装置,其中对于固定突发 长度传输,如果不知道突发长度传输,则HLEN等于HBURST长度。5. 根据权利要求3的存储器访问控制装置,其中对于递增的不 定突发长度传输,使用HBURST信号,忽略HLEN信号。6. 根据权利要求1至5中任何一项的存储器访问控制装置,其 中所述存储器访问控制器包括至少一个存储器访问受控,用于基于由相应的存储器访问主控发 出的存储器访问指令产生存储器访问请求,并将该存储器访问控制器 的信息反馈给相应的存储器访问主控;至少一个HLEN信号译码器,其分别与至少一个存储器访问受 控相耦合,用于对包含在由相应的存储器访问主控发出的存储器访问 指令中的HLEN信号进行译码;仲裁器,用于接收由该至少一个存储器访问受控产生的存储器访 问请求,并对接收到的存储器访问请求分类,以产生连续的访问命令;命令緩沖器,用于连续地存储由该仲裁器产生的访问命令;和 命令控制器,用于读取存储在命令緩冲器中的访问命令,并产生 存储器访问指令以控制数据的传输。7. —种存储器访问控制器,包括至少一个存储器访问受控,用于接收由相应的存储器访问主控发 出的存储器访问指令,产生存储器访问请求,并向相应的存储器访问 主控提供该存储器访问控制器的信息,其中由相应的存储器访问主控 发出的该存储器访问指令包拾HLEN信号,其表示正在传输的数据的 突发长度;至少一个HLEN信号译码器,其分别与至少一个存储器访问受 控相耦合,用于对包含在由相应的存储器访问主控发出的存储器访问 指令中的HLEN信号进行译码;仲裁器,用于接收由该至少一个存储器访问受控产生的存^ft器访 问请求,并对接收到的存储器访问请求分类,以产生连续的访问命令;命令緩冲器,用于连续地存储由该仲裁器产生的访问命令;和命令控制器,用于读取存储在命令緩冲器中的访问命令,并产生 存储器访问指令以控制数据的传输。8. 根据权利要求7的存储器访问控制器,进一步包含HLEN使 能线,用于把HLEN使能信号施加给该存储器访问控制器。9. ...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩奇,肖,
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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