波长转换物质以及发光装置制造方法及图纸

技术编号:28324556 阅读:29 留言:0更新日期:2021-05-04 13:05
一种波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心,且第一保护层包含硅酸铝。在硅酸铝的多个硅中,各个硅分别为第零组态Q

【技术实现步骤摘要】
波长转换物质以及发光装置
本揭露是有关于一种波长转换物质及发光装置。
技术介绍
量子点与荧光粉是常见的波长转换物质,其可应用于发光二极管上,以吸收发光二极管晶片的光线并发出其他颜色的光,并进一步混合为所需的色光。进一步地,量子点或荧光粉可与发光二极管装置搭配,做为显示器的背光源或是显示器的像素。然而,波长转换物质易受氧气及水气破坏,进而导致其发光亮度与使用寿命降低。因此,亟需一种技术方案来降低氧气及水气对波长转换物质的损害,藉此提高波长转换物质的信赖性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种波长转换物质,其基本上克服了现有技术的种种缺陷,通过降低氧气及水气对波长转换物质的损害,从而提高波长转换物质的信赖性。本揭露的一技术态样为一种波长转换物质。根据本揭露一实施方式,波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心,且第一保护层包含硅酸铝。在硅酸铝的多个硅中,各个硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)中的一者。第零组态Q4(0Al)的硅未与铝氧基连接,第一组态Q4(1Al)的硅与一个铝氧基连接,第二组态Q4(2Al)的硅与两个铝氧基连接,第三组态Q4(3Al)的硅与三个铝氧基连接,第四组态Q4(4Al)的硅与四个铝氧基连接,且第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)及第二组态Q4(2Al)的硅的总含量。在本揭露一实施方式中,以硅酸铝的硅的总含量为100%计,第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于80%。在本揭露一实施方式中,在波长转换物质的29Si核磁共振频谱中,约在-70ppm至-120ppm具有硅酸铝的各硅的波峰,且在波长转换物质的27Al核磁共振频谱中,约在40ppm至80ppm具有硅酸铝的多个铝中的各铝的波峰。在本揭露一实施方式中,在波长转换物质的29Si核磁共振频谱中,约在-84ppm至-95ppm中具有第三组态Q4(3Al)的波峰,约在-80ppm至-93ppm中具有第四组态Q4(4Al)的波峰。在本揭露一实施方式中,在硅酸铝的多个铝中,各铝分别为第三组态q3(3Si)及第四组态q4(4Si)中的一者,第三组态q3(3Si)的铝与三个硅氧基连接,第四组态q4(4Si)的铝与四个硅氧基连接,且在波长转换物质的27Al核磁共振频谱中,约在50ppm至80ppm具有第三组态q3(3Si)及第四组态q4(4Si)的波峰。在本揭露一实施方式中,发光核心包含量子点材料。在本揭露一实施方式中,量子点材料的表面可经修饰性处理,修饰性处理包含配位基交换处理、微乳化处理、有机材料包覆、无机材料包覆、受介孔颗粒孔隙包覆或上述的组合。在本揭露一实施方式中,发光核心包含荧光粉材料。在本揭露一实施方式中,荧光粉材料的表面可经修饰性处理,修饰性处理包含有机材料包覆、无机材料包覆或上述的组合。在本揭露一实施方式中,有机材料包覆所用的材料包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚间苯二甲酸乙二酯(PEN)、聚苯乙烯(PS)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚羧酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、环氧树脂(epoxy)、硅胶(silicone)或上述的组合。在本揭露一实施方式中,无机材料包覆所用的材料包含氮化物、金属氧化物、硅氧化物或上述的组合。本揭露的另一技术态样为一种发光装置。根据本揭露一实施方式,发光装置包含固态半导体发光元件以及上述的波长转换物质。固态半导体发光元件用以发出第一光线。波长转换物质吸收部分第一光线,且发出不同于第一光线的波长的第二光线。在本揭露一实施方式中,固态半导体发光元件为发光二极管。根据本揭露上述实施方式,由于第一保护层可保护发光核心免于受到外界物质的损害(例如氧气及水气破坏),因此波长转换物质可具有良好的发光寿命。特别的是,第一保护层的硅酸铝具有特定组态的硅的组成,故可达到优于一般保护层的保护功效。此外,包含上述波长转换物质的发光装置可具有良好的信赖性。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:图1绘示根据本揭露一实施方式的波长转换物质的剖面示意图;图2绘示根据本揭露另一实施方式的波长转换物质的剖面示意图;图3A绘示根据本揭露一实施方式的发光装置的侧视示意图;图3B绘示根据本揭露另一实施方式的发光装置的侧视示意图;图4绘示不同组态的硅的29Si核磁共振频谱的化学位移(chemicalshift)参考值;图5绘示根据本揭露的实施例1的波长转换物质的29Si核磁共振频谱;图6绘示不同组态的铝的27Al核磁共振频谱的化学位移参考值;图7绘示根据本揭露的实施例1的波长转换物质的27Al核磁共振频谱;图8绘示根据本揭露的实施例1与比较例1的波长转换物质的亮度─时间关系图;图9绘示根据本揭露的实施例1的波长转换物质的发光强度─波长关系图;图10绘示比较例1的波长转换物质的发光强度─波长关系图;其中,附图标记:100、200:波长转换物质110:发光核心120:第一保护层130:第二保护层300a:发光装置300b:发光装置302:电路板304:反射杯壁306:导电支架308:导线310:固态半导体发光元件312:可透光胶材320:波长转换膜322:波长转换物质330:第一光线340:第二光线SP:容置空间。具体实施方式以下将以图式揭露本揭露的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说,在本揭露部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。图1绘示根据本揭露一实施方式的波长转换物质100的剖面示意图。波长转换物质100包含发光核心110以及第一保护层120,且第一保护层120包覆发光核心110。发光核心110可包含量子点材料或荧光粉材料。在一些实施方式中,第一保护层120包含硅酸铝。值得注意的是,第一保护层120的硅酸铝包含多个硅,且各个硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)中的一者。详细而言,第零组态Q4(0Al)的硅未与铝氧基连接,第一组态Q4(1Al)的硅与一个铝氧基连接,第二组态Q4(2Al)的硅与两个铝氧基连接,第三组态Q4(3Al)的硅与三个铝氧基连接,第四组态Q4(4Al)的硅与四个铝氧基连接。换句话说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换物质,其特征在于,包含:/n发光核心;以及/n第一保护层,包覆所述发光核心,其中所述第一保护层包含硅酸铝,在所述硅酸铝的多个硅中,各所述硅分别为第零组态Q

【技术特征摘要】
20191029 TW 1081391181.一种波长转换物质,其特征在于,包含:
发光核心;以及
第一保护层,包覆所述发光核心,其中所述第一保护层包含硅酸铝,在所述硅酸铝的多个硅中,各所述硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)中的一者,所述第零组态Q4(0Al)的硅未与铝氧基连接,所述第一组态Q4(1Al)的硅与一个铝氧基连接,所述第二组态Q4(2Al)的硅与两个铝氧基连接,所述第三组态Q4(3Al)的硅与三个铝氧基连接,所述第四组态Q4(4Al)的硅与四个铝氧基连接,且所述第三组态Q4(3Al)及所述第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于所述第零组态Q4(0Al)、所述第一组态Q4(1Al)及所述第二组态Q4(2Al)的硅的总含量。


2.如权利要求1所述的波长转换物质,其中以所述硅酸铝的硅的总含量为100%计,所述第三组态Q4(3Al)及所述第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于80%。


3.如权利要求1所述的波长转换物质,其中在所述波长转换物质的29Si核磁共振频谱中,约在-70ppm至-120ppm具有所述硅酸铝的各所述硅的波峰,且在所述波长转换物质的27Al核磁共振频谱中,约在40ppm至80ppm具有所述硅酸铝的多个铝中的各所述铝的波峰。


4.如权利要求1所述的波长转换物质,其中在所述波长转换物质的29Si核磁共振频谱中,约在-84ppm至-95ppm中具有所述第三组态Q4(3Al)的波峰,约在-80ppm至-93ppm中具有所述第四组态Q4(4Al)的波峰。


5.如权利要求1所述的波长转换物质,其中在所述硅酸铝的多个铝中,各所述铝分别为第三组态q3(3Si)及第四组态q4(4Si)中的一者,...

【专利技术属性】
技术研发人员:鍾长志王宏嘉童鸿钧李育群蔡宗良
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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