波长转换物质以及发光装置制造方法及图纸

一种波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，且第一保护层包含硅酸铝。在硅酸铝的多个硅中，各个硅分别为第零组态Q

【技术实现步骤摘要】
波长转换物质以及发光装置
本揭露是有关于一种波长转换物质及发光装置。
技术介绍
量子点与荧光粉是常见的波长转换物质，其可应用于发光二极管上，以吸收发光二极管晶片的光线并发出其他颜色的光，并进一步混合为所需的色光。进一步地，量子点或荧光粉可与发光二极管装置搭配，做为显示器的背光源或是显示器的像素。然而，波长转换物质易受氧气及水气破坏，进而导致其发光亮度与使用寿命降低。因此，亟需一种技术方案来降低氧气及水气对波长转换物质的损害，藉此提高波长转换物质的信赖性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种波长转换物质，其基本上克服了现有技术的种种缺陷，通过降低氧气及水气对波长转换物质的损害，从而提高波长转换物质的信赖性。本揭露的一技术态样为一种波长转换物质。根据本揭露一实施方式，波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，且第一保护层包含硅酸铝。在硅酸铝的多个硅中，各个硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换物质，其特征在于，包含：/n发光核心；以及/n第一保护层，包覆所述发光核心，其中所述第一保护层包含硅酸铝，在所述硅酸铝的多个硅中，各所述硅分别为第零组态Q

【技术特征摘要】
20191029 TW 1081391181.一种波长转换物质，其特征在于，包含：
发光核心；以及
第一保护层，包覆所述发光核心，其中所述第一保护层包含硅酸铝，在所述硅酸铝的多个硅中，各所述硅分别为第零组态Q4(0Al)、第一组态Q4(1Al)、第二组态Q4(2Al)、第三组态Q4(3Al)及第四组态Q4(4Al)中的一者，所述第零组态Q4(0Al)的硅未与铝氧基连接，所述第一组态Q4(1Al)的硅与一个铝氧基连接，所述第二组态Q4(2Al)的硅与两个铝氧基连接，所述第三组态Q4(3Al)的硅与三个铝氧基连接，所述第四组态Q4(4Al)的硅与四个铝氧基连接，且所述第三组态Q4(3Al)及所述第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于所述第零组态Q4(0Al)、所述第一组态Q4(1Al)及所述第二组态Q4(2Al)的硅的总含量。


2.如权利要求1所述的波长转换物质，其中以所述硅酸铝的硅的总含量为100％计，所述第三组态Q4(3Al)及所述第四组态Q4(4Al)的硅的总含量大于80％。


3.如权利要求1所述的波长转换物质，其中在所述波长转换物质的29Si核磁共振频谱中，约在-70ppm至-120ppm具有所述硅酸铝的各所述硅的波峰，且在所述波长转换物质的27Al核磁共振频谱中，约在40ppm至80ppm具有所述硅酸铝的多个铝中的各所述铝的波峰。


4.如权利要求1所述的波长转换物质，其中在所述波长转换物质的29Si核磁共振频谱中，约在-84ppm至-95ppm中具有所述第三组态Q4(3Al)的波峰，约在-80ppm至-93ppm中具有所述第四组态Q4(4Al)的波峰。


5.如权利要求1所述的波长转换物质，其中在所述硅酸铝的多个铝中，各所述铝分别为第三组态q3(3Si)及第四组态q4(4Si)中的一者，...

【专利技术属性】
技术研发人员：鍾长志，王宏嘉，童鸿钧，李育群，蔡宗良，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71