磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法技术

一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。

【技术实现步骤摘要】
磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法
本专利技术实施例是涉及磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法。
技术介绍
磁性随机存取存储器(magneticrandomaccessmemory，MRAM)提供与易失性静态随机存取存储器(volatilestaticrandomaccessmemory，SRAM)相当的性能以及与易失性动态随机存取存储器(volatiledynamicrandomaccessmemory，DRAM)相当的密度且具有更低的功耗。与非易失性存储器(non-volatilememory，NVM)闪存相比，MRAM提供快得多的存取时间且随时间的推移遭受最小的劣化，而闪存可仅被重写有限的次数。MRAM的一种类型是自旋转移力矩磁性随机存取存储器(spintransfertorquemagneticrandomaccessmemory，STT-MRAM)。STT-MRAM利用磁性隧道结(magnetictunnelingjunction，MTJ)，所述磁性隧道结至少部分是由通过MTJ驱动的电流进行写入。另一种类型的MRAM是自旋轨道力矩M本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性存储器件，包括：/n第一磁性隧道结堆叠；/n第一自旋轨道力矩感应配线，设置在所述第一磁性隧道结堆叠之上；/n第一导电线，耦合到所述第一自旋轨道力矩感应配线的第一端；/n第二导电线，耦合到所述第一自旋轨道力矩感应配线的第二端；/n选择器层，耦合到所述第一导电线；以及/n第二自旋轨道力矩感应配线，设置在第二磁性隧道结堆叠之上，所述选择器层耦合到与所述第二自旋轨道力矩感应配线耦合的第三导电线。/n

【技术特征摘要】
20191030 US 62/927,875;20200825 US 17/002,3511.一种磁性存储器件，包括：
第一磁性隧道结堆叠；
第一自旋轨道力矩感应配线，设置在所述第一磁性隧道结堆叠之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋明远，林世杰，李乾铭，葛卫伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71