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台湾积体电路制造股份有限公司
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磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法技术
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文档序号:28324383
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一种磁性存储器件包括:磁性隧道结(MTJ)堆叠;自旋轨道力矩(SOT)感应配线,设置在MTJ堆叠之上;第一端子,耦合到SOT感应配线的第一端;第二端子,耦合到SOT感应配线的第二端;以及共享选择器层,耦合到第一端子。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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