一种红外热电堆传感器的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种红外热电堆传感器的制造方法，包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻，其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括：提供基板；通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层；图形化所述热敏电阻薄膜层，形成所述热敏电阻；在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极，以实现对所述热敏电阻的电性连接。本发明专利技术在基板上通过半导体工艺形成热敏电阻，热电堆也形成在同一基板上，可以在形成热敏电阻之后或之前或形成热敏电阻时形成热电堆，可以实现热敏电阻与热电堆的更好集成。

【技术实现步骤摘要】
一种红外热电堆传感器的制造方法
本专利技术涉及红外测温领域，尤其涉及一种红外热电堆传感器的制造方法。
技术介绍
在门类繁多的传感器当中，温度传感器在应用领域和数量方面都是首屈一指的。随着现代电子技术的发展，温度传感器在工业技术、科学研究及日常生活中得到了日益广泛的应用，以热电堆为感温元件的温度传感器被广泛应用于温度测量、控制等领域。由于各行业对温度控制的需求越来越严格和精密，对产品的可靠性要求更加苛刻，体积要求更小，灵敏度要求更高，安装和使用要求更方便。目前制造的红外热电堆传感器通常集成有热敏电阻，在制造红外热电堆传感器时分别制造热电堆结构和热敏电阻，之后将热敏电阻和热电堆分别焊接在封装壳内。这样的制造方法使热电堆结构和热敏电阻集成性不好，红外热电堆传感器的体积无法进一步缩小。因此，期待一种新的红外热电堆传感器的制造方法。能够在制造热敏电阻时更好的与热电堆结构实现集成，以简化工艺、满足小型化及批量化生产的要求。
技术实现思路
本专利技术揭示了一种红外热电堆传感器的制造方法，能够解决热电堆结构和热敏电阻集成度不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外热电堆传感器的制造方法，包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻，其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括：/n提供基板；/n通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层；/n图形化所述热敏电阻薄膜层，形成所述热敏电阻；/n在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极，以实现对所述热敏电阻的电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外热电堆传感器的制造方法，包括基板以及形成在所述基板上的热敏电阻，其中在所述基板上形成所述热敏电阻的方法包括：
提供基板；
通过沉积工艺在所述基板上形成热敏电阻薄膜层；
图形化所述热敏电阻薄膜层，形成所述热敏电阻；
在所述热敏电阻的两端通过沉积工艺形成电极，以实现对所述热敏电阻的电性连接。


2.如权利要求1所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述基板内形成有热电堆结构，所述热敏电阻形成于所述热电堆结构前或形成于所述热电堆结构后。


3.如权利要求1所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述热电堆结构包括多种膜层，所述热敏电阻的材料与其中一种膜层的材料相同，形成所述膜层时，还包括图形化所述膜层，形成所述热敏电阻。


4.如权利要求2或3所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述热电堆结构包括冷结和热结，所述热敏电阻靠近所述冷结设置。


5.如权利要求1所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述热敏电阻的材料包括金属或金属氧化物或半导体。


6.如权利要求5所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述金属包括铝、铜、镍、铬、铁、钛、金、银、铂、锰、钴、锌等一种、两种或两种以上的金属材料。


7.如权利要求5所述的红外热电堆传感器的制造方法，其特征在于，所述半导体包括：本征半导体或含重金属掺杂的半导体，所述重金...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，向阳辉，丁敬秀，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33