一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法技术

一种高功率芯片封装散热结构，包括：高功率芯片封装，散热器，所述高功率芯片封装包括高功率芯片阵列、基板，所述高功率芯片阵列至少包括一个高功率芯片子单元，从晶圆上切割m×n的高功率芯片子单元获得所述高功率芯片阵列，所述高功率芯片阵列每个子单元之间已电气连接，m≥1，n≥1；所述基板包括至少一个通孔，所述高功率芯片阵列嵌入所述通孔内，通过焊接的方式直接键合到散热器上。本发明专利技术解决了现有高功率芯片封装散热结构散热性差、寿命短及效率低的技术问题，缩短了散热路径，提高了高功率芯片的散热性能，突破传统散热的局限性。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，更具体地涉及高功率芯片散热技术。
技术介绍
具有高流明效率、长使用寿命、低驱动电压等明显优点的发光二极管广泛应用于显示、照明、装饰等众多领域。随着应用场景的需要，对大功率、高亮度的高功率芯片的散热设计提出了更高的要求。目前传统的高功率芯片散热结构，存在散热性差导致的光源早衰、寿命缩短、发光效率降低的技术问题。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，解决原有高功率芯片结构散热性差导致的光源早衰、寿命缩短、发光效率降低的技术问题，本专利技术提供了一种高功率芯片封装散热结构，包括：高功率芯片封装、散热器，所述高功率芯片封装包括高功率芯片阵列、基板；所述高功率芯片阵列至少包括一个高功率芯片子单元，从晶圆上切割m×n的高功率芯片子单元获得所述高功率阵列，所述高功率芯片阵列每个子单元之间已实现电气连接，m≥1，n≥1；所述基板包括至少一个通孔，所述高功率芯片阵列嵌入所述通孔内，通过焊接的方式直接键合到散热器。>优选的，所述基板包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率芯片封装散热结构，其特征在于，包括：/n高功率芯片封装、散热器，/n所述高功率芯片封装包括高功率芯片阵列、基板，/n所述高功率芯片阵列至少包括一个高功率芯片子单元，从晶圆上切割m×n的高功率芯片子单元获得所述高功率芯片阵列，所述高功率芯片阵列每个子单元之间已电气连接，m≥1，n≥1；/n所述基板包括至少一个通孔，/n所述高功率芯片阵列嵌入所述基板通孔内，通过焊接的方式直接键合到散热器。/n

【技术特征摘要】
1.一种高功率芯片封装散热结构，其特征在于，包括：
高功率芯片封装、散热器，
所述高功率芯片封装包括高功率芯片阵列、基板，
所述高功率芯片阵列至少包括一个高功率芯片子单元，从晶圆上切割m×n的高功率芯片子单元获得所述高功率芯片阵列，所述高功率芯片阵列每个子单元之间已电气连接，m≥1，n≥1；
所述基板包括至少一个通孔，
所述高功率芯片阵列嵌入所述基板通孔内，通过焊接的方式直接键合到散热器。


2.根据权利要求1所述高功率芯片封装散热结构，其特征在于，所述基板包括通孔区，以及位于通孔区外的边缘区，所述边缘区包括至少一个焊盘。


3.根据权利要求2所述高功率芯片封装散热结构，其特征在于，所述通孔区的长度与宽度分别大于所述高功率芯片阵列的长度与宽度。


4.根据权利要求2所述高功率芯片封装散热结构，其特征在于，所述高功率芯片子单元通过引线键合的方式键合至所述焊盘。


5.根据权利要求1所述高功率芯片封装散热结构，其特征在于，所述基板包括有机基板、陶瓷基板、玻璃基板、金属芯印刷电路板及其它复合基板；所述散热器包括硅基/金属基/陶瓷基液冷板、热扩散板、热沉；所述散热器材料包括铜、钨铜、钼铜、铝、硅及其它复合材料。


6.一种高功率芯片封装散热结构制备方法，其特征在于，包括
S1：制备包括至少一个通孔的基板；
S2：制备高功率芯片阵列，将所述高功率芯片阵列键合至所述基板，形成高功率芯片封装，所述高功率芯片阵列由m×n个高功率芯片子单元组成；
S3：塑封；加热，使高功率芯片封装与载板脱离；

【专利技术属性】
技术研发人员：侯峰泽，张国旗，叶怀宇，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44