热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法技术

本发明专利技术提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序；(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序；(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序；(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序；(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法
本专利技术涉及进行热与电的相互能量转换的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。
技术介绍
目前，作为能量的有效利用方式之一，包括利用具有塞贝克效应、帕尔贴效应等热电效应的热电转换组件而将热能与电能直接相互转换的装置。作为上述热电转换组件，已知有所谓的π型热电转换元件的使用。π型如下地构成：在基板上设置相互隔开的一对电极，并同样地相互隔开地例如在一个电极上设置P型热电元件、在另一个电极上设置N型热电元件，将两者的热电元件的上表面与对置的基板的电极相连。另外，已知有所谓的面内型的热电转换元件的使用。面内型如下地构成：在基板的面内方向上交替地设置P型热电元件和N型热电元件，并将例如两热电元件间的接合部的下部隔着电极而串联连接。在这样的热电转换组件中，存在提高热电转换组件的弯曲性、薄型化以及提高热电性能等的要求。为了满足这些要求，例如，作为用于热电转换组件的基板，已从耐热性及弯曲性的观点出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：/n(A)在基板上形成牺牲层的工序；/n(B)在所述(A)的工序中得到的所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层的工序；/n(C)对在所述(B)的工序中得到的所述热电转换材料层进行退火处理的工序；/n(D)将在所述(C)的工序中得到的退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层的工序；/n(E)将所述(D)的工序的热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及/n(F)将在所述(E)的工序中得到的单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 JP 2018-1592591.一种热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：
(A)在基板上形成牺牲层的工序；
(B)在所述(A)的工序中得到的所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层的工序；
(C)对在所述(B)的工序中得到的所述热电转换材料层进行退火处理的工序；
(D)将在所述(C)的工序中得到的退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层的工序；
(E)将所述(D)的工序的热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序；以及
(F)将在所述(E)的工序中得到的单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。


2.根据权利要求1所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，利用切割刀或激光进行所述将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序。


3.根据权利要求1或2所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其包括：
对所述粘合剂层照射能量射线，使该粘合剂层对于所述热电转换材料层的粘合力、或者该粘合剂层对于所述热电转换材料的芯片的粘合力降低的工序。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，所述牺牲层包含树脂或脱模剂。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，所述牺牲层的厚度为10nm～10μm。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，所述基板为玻璃基板。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，所述退火处理在250～600℃的温度下进行。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的热电转换材料芯片的制造方法，其包括：
在所述(D)中经转印后的热电转换材料层上、所述(E)中经单片化后的热电转换材料的芯片上、或所述(F)中经剥离后的热电转换材料的芯片上进一步形成焊料接收层的工序。


9.根据权利要求8所述的热电转换材料的芯片的制造方法，其中，所述焊料接收层包含金属材料。


10.一种热电转换组件的制造方法，其是制造将多个热电转换材料的芯片组合而成的热电转换组件的方法，所述热电转换材料的芯片是通过权利要求1～7中任一项所述的热电转换材料的芯片的制造方法得到的，
该热电转换组件的制造方法包括：
(i)在第1树脂膜上形成第1电极的工序；
(ii)在第2树脂膜上形成第2电极的工序；
(iii)在所述(i)的工序中得到的所述第1电极上形成接合材料层1的工序；
(iv)将所述热电转换材料的芯片的一面载置于在所述(iii)的工序中得到的所述接合材料层1上的工序；
(v)将在所述(iv)的工序中载置的所述热电转换材料的芯片的一面隔着在所述(iii)的工序中得到的所述接合材料层1与所述第1电极接合的工序；以及
(vi)将所述(v)的工序后的所述热电转换材料的芯片的另一面隔着接合材料层2与在所述(ii)的工序中得到的所述第2电极接合的工序...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤邦久，武藤豪志，户高昌也，胜田祐马，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP