一种半导体芯片的制造方法技术

本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法，该方法包括:在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在第一导电类型的外延层的表层形成第二导电类型的掺杂区；在第一导电类型的外延层之中形成沟槽；生长第一氧化层；去除沟槽之外的第一氧化层，并去除沟槽之中的一部分第一氧化层；生长第二氧化层，第二氧化层覆盖于沟槽的侧壁和第二导电类型的扩散区的上方；在沟槽的侧壁注入掺杂形成第一导电类型的掺杂区；淀积多晶硅并去除沟槽之外的多晶硅，保留沟槽之中的多晶硅；在第二导电类型的扩散区的表层之中注入掺杂然后退火形成第一导电类型的扩散区；形成接触孔、金属电极和压焊窗口。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的制造方法
本申请涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种半导体芯片的制造方法。
技术介绍
MOSFET芯片是一种分立器件，属于半导体功率器件范畴，与集成电路同属于半导体芯片领域。按照物理结构，可将MOSFET芯片分类为平面MOSFET和沟槽MOSFET两个大类，其中沟槽MOSFET的电流密度更高，在中低压MOSFET中占主导地位，沟槽MOSFET的多晶硅栅位于沟槽之中；按照导电类型，可将MOSFET芯片分类为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，N沟道MOSFET的导电沟道为N型，P沟道MOSFET的导电沟道为P型。按照导电沟道的形成方式，可将MOSFET芯片分类为耗尽型MOSFET和增强型MOSFET，耗尽型MOSFET在栅极不加电压时即有导电沟道存在，而增强型MOSFET只有在栅极施加一定的电压时才会出现导电沟道。本案只针对耗尽型沟槽MOSFET芯片。沟槽MOSFET芯片都包含源极、栅极和漏极共3个端口，源极和栅极位于芯片的正面，漏极位于芯片的背面，MOSFET芯片的正面结构包括元胞区和保护环等，其中元胞区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：/n在第一导电类型的衬底(1)表面生长外延层(2)；/n在第一导电类型的外延层(2)的表层之中形成第二导电类型的掺杂区(3)；/n在第一导电类型的外延层(2)之中形成沟槽(5)，第二导电类型的掺杂区(3)之中的掺杂物在形成沟槽的过程中发生热扩散形成第二导电类型的扩散区(4)；/n生长第一氧化层(6)，第一氧化层(6)将沟槽(5)填满并覆盖到第二导电类型的扩散区(4)的上方；/n去除沟槽(5)之外的第一氧化层(6)，并去除沟槽(5)之中的一部分第一氧化层(6)，在沟槽(5)的底部保留预设厚度的第一氧化层(6)；/n生长第二氧化层(7)，第二氧化层(...

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型的衬底(1)表面生长外延层(2)；
在第一导电类型的外延层(2)的表层之中形成第二导电类型的掺杂区(3)；
在第一导电类型的外延层(2)之中形成沟槽(5)，第二导电类型的掺杂区(3)之中的掺杂物在形成沟槽的过程中发生热扩散形成第二导电类型的扩散区(4)；
生长第一氧化层(6)，第一氧化层(6)将沟槽(5)填满并覆盖到第二导电类型的扩散区(4)的上方；
去除沟槽(5)之外的第一氧化层(6)，并去除沟槽(5)之中的一部分第一氧化层(6)，在沟槽(5)的底部保留预设厚度的第一氧化层(6)；
生长第二氧化层(7)，第二氧化层(7)覆盖于沟槽(5)的侧壁和第二导电类型的扩散区(4)的上方；
在沟槽(5)的侧壁注入掺杂形成第一导电类型的掺杂区(8)；
淀积多晶硅并去除沟槽(5)之外的多晶硅，保留沟槽之中的多晶硅(9)；
在第二导电类型的扩散区(4)的表层之中注入掺杂然后退火形成第一导电类型的扩散区(10)；
形成接触孔、金属电极和压焊窗口；
其中，第一导电类型的衬底(1)的背面为MOSFET的漏极，第二导电类型的扩散区(4)为MOSFET的体区，第一导电类型的掺杂区(8)为MOSFET的导电沟道，第一导电类型的扩散区(10)为MOSFET的源极，位于沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛宗谦，杨勇，
申请(专利权)人：深圳市汇德科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44