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本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法，该方法包括:在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在第一导电类型的外延层的表层形成第二导电类型的掺杂区；在第一导电类型的外延层之中形成沟槽；生长第一氧化层；去除沟槽之外的第一氧化层，并去除沟槽之中的一...
该专利属于深圳市汇德科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市汇德科技有限公司授权不得商用。

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