LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备技术

本发明专利技术公开了一种LDMOS器件制作方法，包括在衬底或外延层上形成浅沟槽隔离、栅介质层并定义多晶硅栅；形成高能量漂移区和RESUR层注入区，以及低能量漂移区；多晶硅栅进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区；形成侧墙，在体区形成第一重掺杂区和第二重掺杂区,在低能量漂移区形成第一重掺杂区，沉积金属硅化反应阻挡介质层；在多晶硅栅、第一重掺杂区和第二重掺杂区和表面形成金属硅化物；沉积绝缘介质刻蚀停止层，沉积层间介质层；形成多个接触孔和第一金属层，近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。本发明专利技术还公开了一种LDMOS器件和一种用于制作所述LDMOS器件的终端设备。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件制作方法、LDMOS器件和终端设备
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种LDMOS器件制作方法、一种LDMOS器件和一种用于制作所述LDMOS器件的终端设备。
技术介绍
DMOS(Double-diffusedMOS)由于具有耐高压，大电流驱动能力和极低功耗等特点，目前在电源管理电路中被广泛采用。在LDMOS(LateralDouble-diffusedMOS)器件中，导通电阻Rsp以及栅-漏电容Cgd是LDMOS器件的两个重要的指标。如何获得更高的击穿电压，更低的Rsp、以及更低的Cgd以可以提高产品的竞争力。现有的LDMOS结构如图1所示，通过在介质层SAB上引入导电的接触孔形成调节电场的场极板，但是传统的结构中，116-A要么直接短接到栅极，要么直接短接到源极。导通状态时，接触孔短接到栅极可以在漂移区上方形成额外的电子积累层来降低Rsp，但是栅-漏极的电容较大，而接触孔短接到源极可以屏蔽栅极，降低栅-漏电容，但是无法产生电子积累层，因此增加了Rsp。
技术实现思路
在专利
技术实现思路
部分中引入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，在衬底或外延层(101)上形成浅沟槽隔离(102)，再形成栅介质层(103)，淀积形成多晶硅层，刻蚀同时定义多晶硅栅(104)；/nS2，涂布光刻胶(501)并打开LDMOS区域的光刻胶，进行漂移区和RESURF注入，形成横向上离子浓度分布不均匀的高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，以及低能量漂移区(106)；/nS3，对定义的多晶硅栅(104)进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区(107)；/nS4，在多晶硅栅(104)两侧形成侧墙(108)，在体区(107)进行高掺杂注入形成第一重掺杂区(109)和第二重掺...

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底或外延层(101)上形成浅沟槽隔离(102)，再形成栅介质层(103)，淀积形成多晶硅层，刻蚀同时定义多晶硅栅(104)；
S2，涂布光刻胶(501)并打开LDMOS区域的光刻胶，进行漂移区和RESURF注入，形成横向上离子浓度分布不均匀的高能量漂移区和RESUR层注入区(105)，以及低能量漂移区(106)；
S3，对定义的多晶硅栅(104)进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区(107)；
S4，在多晶硅栅(104)两侧形成侧墙(108)，在体区(107)进行高掺杂注入形成第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110),在低能量漂移区(106)形成第一重掺杂区(109)，沉积金属硅化反应阻挡介质层(111)并进行选择性光刻刻蚀，使其覆盖漂移区表面；
S5，进行金属硅化反应，在多晶硅栅(104)、第一重掺杂区(109)和第二重掺杂区和(110)表面形成金属硅化物(112)；
S6,沉积绝缘介质刻蚀停止层(113)，沉积层间介质层(114)并进行平坦化；
S7,接触孔刻蚀并填充形成多个接触孔(115)，形成第一金属层(116)并刻蚀；通过第一金属层(116)将金属硅化反应阻挡层(111)上的多排接触孔(115)分成两部分，靠近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。


2.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：衬底或外延层(101)为P型或N型。


3.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：热氧化形成栅介质层(103)。


4.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区注入能量范围为大于80KeV，RESURF注入能量范围为大于300KeV。


5.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：漂移区靠近体区(107)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度低，靠近低能量漂移区(106)中第一重掺杂区(109)一侧的离子浓度高。


6.如权利要求1所述的LDMOS器件制作方法，其特征在于：步骤S3中，保留光刻胶进行高...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32