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本发明公开了一种LDMOS器件制作方法，包括在衬底或外延层上形成浅沟槽隔离、栅介质层并定义多晶硅栅；形成高能量漂移区和RESUR层注入区，以及低能量漂移区；多晶硅栅进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区；形成侧墙，在体区形成第一重掺杂...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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