一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片技术

本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片，该方法包括在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽，在沟槽表面生长氧化层；淀积多晶硅；去除第一设定区域和第二设定区域的沟槽之外的多晶硅；在第一设定区域和第二设定区域形成第二导电类型的扩散区；在第二设定区域形成第一导电类型的掺杂区；淀积介质层，在第二设定区域和第三设定区域形成接触孔；其中第一设定区域为MOSFET芯片的保护环，其包括多个间隔设置的封闭环；第二设定区域为MOSFET芯片的元胞区，其设置在MOSFET芯片的中部位置处；第三设定区域为MOSFET芯片的栅极引出结构，第一设定区域设置在第二设定区域和第三设定区域外部。置在第二设定区域和第三设定区域外部。置在第二设定区域和第三设定区域外部。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片


[0001]本申请涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片。

技术介绍

[0002]MOSFET芯片是一种分立器件，属于半导体功率器件范畴，与集成电路同属于半导体芯片领域。按照物理结构，可将MOSFET芯片分类为平面MOSFET和沟槽MOSFET两个大类，其中沟槽MOSFET的电流密度更高，在中低压MOSFET中占主导地位，沟槽MOSFET的多晶硅栅位于沟槽之中；按照导电类型，可将MOSFET芯片分类为N型MOSFET和P型MOSFET。
[0003]MOSFET最关键指标参数包括击穿电压(特指漏源击穿电压)和导通电阻，通常情况下，击穿电压越大越好，导通电阻越小越好，击穿电压与单位面积的导通电阻是一对互为矛盾的参数。为实现其标称的击穿电压，MOSFET芯片内部结构中都采用特定电阻率和特定厚度的外延层来承压。
[0004]MOSFET芯片都包含源极、栅极和漏极共3个端口，通常源极和栅极在芯片的正面，漏极在芯片的背面，MOSFET芯片的正面结构包括元胞区、保护环和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽，在沟槽表面生长氧化层；淀积多晶硅；去除第一设定区域和第二设定区域的沟槽之外的多晶硅；在第一设定区域和第二设定区域形成第二导电类型的扩散区；在第二设定区域形成第一导电类型的掺杂区；淀积介质层，在第二设定区域和第三设定区域形成接触孔；形成金属电极和钝化保护层；其中第一设定区域为MOSFET芯片的保护环，其包括多个间隔设置的封闭环；第二设定区域为MOSFET芯片的元胞区，其设置在所述MOSFET芯片的中部位置处；所述第三设定区域为MOSFET芯片的栅极引出结构，所述第一设定区域设置在所述第二设定区域和所述第三设定区域外部。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述淀积多晶硅的工艺厚度为600-1500nm。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在所述去除第一设定区域和第二设定区域的沟槽之外的多晶硅中，采用光刻、刻蚀的工艺方法去除多晶硅。5.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，在所述在第一设定区域和第二设定区域形成第二导电类型的扩散区中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，
申请(专利权)人：深圳市汇德科技有限公司，
类型：发明
国别省市：