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本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法和半导体芯片，该方法包括在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽，在沟槽表面生长氧化层；淀积多晶硅；去除第一设定区域和第二设定区域的沟槽之外的多晶硅；在第一设定区域和第二设定区域形成第...
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