一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法技术

本申请实施例公开了一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法，所述方法包括：提供待测样品，所述待测样品具有暴露的待测量层；通过OCD测量设备对所述待测样品的待测量层进行测量，得到OCD测量数据；从校准数据库中确定与所述待测样品的待测量层对应的校准样品的待测量层、并根据所确定的校准样品的待测量层获取对应的校准数据；其中，所述校准数据库包括对应校准样品不同待测量层的校准数据；根据所述校准数据和所述OCD测量数据，对所述OCD测量设备进行校准。

【技术实现步骤摘要】
一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法。
技术介绍
在半导体集成电路产业中，芯片结构在设计和制造时，对其结构的关键尺寸(CriticalDimension，CD)的快速有效检测是控制芯片良品率及量产效率的重要手段。光学关键尺寸(OpticalCriticalDimension，OCD)测量技术作为一种重要的关键尺寸测量技术，在集成电路产品生产中逐渐占据主导地位。但是随着半导体集成电路产业中工艺制程的不断升级，对OCD的测量精度的要求越来越高，而OCD的测量精度可以通过对OCD测量设备的进行校准来提高，因此，急需一种能够提高OCD测量设备的测量精确的校准方法。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法，所述方法包括：提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供待测样品，所述待测样品具有暴露的待测量层；/n通过OCD测量设备对所述待测样品的待测量层进行测量，得到OCD测量数据；/n从校准数据库中确定与所述待测样品的待测量层对应的校准样品的待测量层、并根据所确定的校准样品的待测量层获取对应的校准数据；其中，所述校准数据库包括对应校准样品不同待测量层的校准数据；/n根据所述校准数据和所述OCD测量数据，对所述OCD测量设备进行校准。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学关键尺寸OCD测量设备的校准方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待测样品，所述待测样品具有暴露的待测量层；
通过OCD测量设备对所述待测样品的待测量层进行测量，得到OCD测量数据；
从校准数据库中确定与所述待测样品的待测量层对应的校准样品的待测量层、并根据所确定的校准样品的待测量层获取对应的校准数据；其中，所述校准数据库包括对应校准样品不同待测量层的校准数据；
根据所述校准数据和所述OCD测量数据，对所述OCD测量设备进行校准。


2.根据权利要求1所述的OCD测量设备的校准方法，其特征在于，
所述校准数据库内的校准数据是通过关键尺寸扫描电子显微镜CDSEM对校准样品的待测量层测量得到。


3.根据权利要求1所述的OCD测量设备的校准方法，其特征在于，所述方法还包括，构建校准数据库，具体包括：
通过化学机械研磨工艺对校准样品进行处理；
通过CDSEM对处理后的校准样品进行测量，得到校准数据；
基于所述校准数据，构建校准数据库。


4.根据权利要求3所述的OCD测量设备的校准方法，其特征在于，所述通过化学机械研磨工艺对校准样品进行处理，包括：
提供校准样品，所述校准样品包括多层待测量层；
通过化学机械研磨工艺逐次对所述校准样品进行研磨，逐步得到暴露不同待测量层的校准样品；
所述通过CDSEM对处理后的校准样品进行测量，得到校准数据，包括：
每次对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马力超，孟胜伟，周毅，范石根，李大鹏，鲍琨，王光毅，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42