一种具有内存列备用修复功能的内存列架构制造技术

本发明专利技术为一种具有内存列备用修复功能的内存列架构，所述的内存列架构包含有：复数个标准内存区段以及复数个备用内存区段，其中，所述的复数个标准内存区段的个数是大于２，并且所述的复数个备用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内存区段，此外，分别具有奇数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第一内存列备用修复模块，而分别具有偶数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第二内存列备用修复模块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种具有内存列备用修复(memory row redundancy repair ) 功能的内存列架构，特别是指一种在每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内 存区段的具有内存列备用修复功能的内存列架构。
技术介绍
一力殳而言，目前在现有4支术的内存芯片的内存列架构(memory row scheme ) 中，除了包含有复数个传统的标准内存区段(normal memory section )的夕卜，也包 含有所谓的备用内存区段(redundancy memory section ),其中，备用内存区段是 具有与标准内存区段类似的结构，并且用来取代在所述的复数个标准内存区段中 被认定为失效的内存单元。请参考图1,图1所绘示的为现有技术中的一种具有内存列备用修复功能的 内存列架构100的简化方块示意图。如图1所示，内存列架构100包含有 一第 一标准内存区段lll、 一第二标准内存区段112、 一第三标准内存区段113、 一第 四标准内存区段114、 一第五标准内存区段115、 一第六标准内存区l殳116、 一第 七标准内存区段117、 一第八标准内存区段118、 一第一备用内存区l殳121、以及 一第二备用内存区段122，其中，第一备用内存区段121是耦接在第一标准内存 区段lll，第二备用内存区段122是耦接在第八标准内存区段118,此外，第一备 用内存区段121与第一标准内存区段111、第二标准内存区段112、第三标准内存 区段113、以及第四标准内存区段114是彼此耦接，以构成一第一内存列备用修 复模块，而所述的第 一 内存列备用修复模块是用在当上述包含在所述的第 一 内存 列备用修复模块内的任一标准内存区段失效时，可以利用第一备用内存区段121 来修复失效的标准内存区段；类似地，第二备用内存区段122与第八标准内存区 段118、第五标准内存区段115、 一第六标准内存区段116、以及第七标准内存区 段117是彼此耦接，以构成一第二内存列备用修复模块，而所述的第二内存列备 用修复模块是用在当上述包含在所述的第二内存列备用修复模块内的任一标准内存区段失效时，可以利用第二备用内存区段122来修复失效的标准内存区段。然而，由于第一标准内存区段111以及第八标准内存区段118中的小讯号会 因为分别增加第一备用内存区段121以及第二备用内存区段122而造成讯号变小， 所以使得第一标准内存区段111以及第八标准内存区段118中的小讯号会跟其余 的第二标准内存区段112、第三标准内存区段113、第四标准内存区l殳114、第五 标准内存区段115、第六标准内存区段116、以及第七标准内存区段117中的小讯 号不一致，而这样的结果很有可能会导致整体内存列架构100的电性表现 (electrical performance )与步文能(efficiency)变差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的之一在于提供一种在每一标准内存区段的一侧均设 置有一备用内存区段的具有内存列备用修复(memory row redundancy repair)功 能的内存列架构，以解决上述的问题。依据本专利技术的申请专利范围，其是公开一种具有内存列备用修复功能的内存 列架构，所述的内存列架构包含有复数个标准内存区段；以及复数个备用内存 区段；其中，所述的复数个标准内存区段的个数是大于2,并且所述的复数个备 用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存 区段的一侧均设置有一备用内存区段。依据本专利技术的申请专利范围，其是公开一种具有内存列备用修复功能的内存 列架构，所述的内存列架构包含有复数个第一标准内存区段；复数个第二标准 内存区段；复数个第一备用内存区段，耦接在所述的复数个第一标准内存区段； 以及复数个第二备用内存区段，耦接在所述的复数个第二标准内存区段，其中， 所述的复数个第 一标准内存区段是彼此耦接，并且所述的复数个第二标准内存区 段是彼此耦接，而且两相邻第二标准内存区段之间是间隔一第 一标准内存区段， 以及两相邻第二备用内存区段之间是间隔一第一备用内存区段。本专利技术的优点在于，整体内存列架构的电性表现与效能比较高。附图说明图1为现有的一种具有内存列备用修复功能的内存列架构的简化方块示意图；图2为依据本专利技术的 一 实施例的 一种具有内存列备用修复功能的内存列架构 的简化方块示意图。附图标记说明100-内存列架构；111 -第一标准内存区段；112-第二标准 内存区段；113 -第三标准内存区段；114-第四标准内存区段；115-第五标准 内存区段；116-第六标准内存区段；117-第七标准内存区段；118-第八标准 内存区段；121-第一备用内存区段；122-第二备用内存区段；200-内存列架构； 211 -第一标准内存区段；212-第二标准内存区段；213 -第三标准内存区段；214 -第四标准内存区段；215 -第五标准内存区段；216 -第六标准内存区段；217 -第七标准内存区段；218-第八标准内存区段；211 -第一备用内存区段；222 -第二备用内存区段；223 -第三备用内存区段；224-第四备用内存区段；225 -第五备用内存区段；226-第六备用内存区段；227 -第七备用内存区段；228 -第八备用内存区段。具体实施方式在本说明书以及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的组 件，而所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来 称呼同 一个组件，本说明书与后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分 组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则，在通篇说明书与后 续的请求项当中所提与的「包含有」为一开放式的用语，故应解释成「包含有但 不限定在」，此外，「耦接J 一词在此是包含任何直接与间接的电气连接手段， 因此，若文中描述一第一装置耦接在一第二装置，则代表所述的第一装置可以直 接电气连接在所述的第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至所 述的第二装置。本专利技术是^^开一种具有内存列备用》务复(memory row redundancy repair)功 能的内存列架构，所述的内存列架构包含有复数个标准内存区段(normal memory section); 以及复数个备用内存区段(redundancy memory section ); 其中，所述 的复数个标准内存区段的个数是大于2，并且所述的复数个备用内存区段的个数 是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置 有一备用内存区段，此外，所述的复数个标准内存区段以及所述的复数个备用内 存区段的数量为偶数个，并且每一标准内存区段与位于其一侧的一备用内存区段是彼此耦接，其中，分别具有奇数的序号的所述的复数个主存储器区段与所述的 复数个备用内存区段是构成一第一内存列备用修复模块，而分别具有偶数的序号 的所述的复数个主存储器区段与所述的复数个备用内存区段是构成一第二内存列 备用修复模块。另外，在此请注意本专利技术所公开的具有内存列备用修复功能的内 存列架构可以应用在目前所有种类的内存芯片中。请参考图2,图2所绘示的为依据本专利技术的一实施例的一种具有内存列备用 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有内存列备用修复功能的内存列架构，其特征在于：所述的内存列架构包含有：　至少三个标准内存区段；以及　复数个备用内存区段；　所述的复数个备用内存区段的个数是等于所述的复数个标准内存区段的个数，以及每一标准内存区段的一侧均设置有一备用内存区段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王释兴，袁德铭，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]