等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯制造技术

本发明专利技术题为“等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯”。本发明专利技术公开了无污染物等离子体切单工艺，其中将在等离子体切单期间使用的材料的残余物从所得半导体管芯的侧壁完全去除，而不损坏该半导体管芯。通过此类无污染物等离子体切单工艺，可制造半导体管芯。该半导体管芯可包括第一多个侧壁凹陷部，该第一多个侧壁凹陷部形成在该半导体管芯的衬底的位于该衬底的第一表面与第二表面之间的侧壁中，该第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一深度；以及第二多个侧壁凹陷部，该第二多个侧壁凹陷部形成在该衬底的该侧壁中并且设置在该第一多个侧壁凹陷部与该第二表面之间，该第二多个侧壁凹陷部各自具有大于该第一深度的至少第二深度。深度。深度。

【技术实现步骤摘要】
等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯


[0001]本说明书涉及等离子体切单的半导体管芯。

技术介绍

[0002]单独的半导体管芯通常是从其上形成有半导体管芯的晶圆切单的。存在多种类型的用于切单半导体管芯的管芯切单技术，包括使用锯进行机械切割、激光分离和等离子体切单。
[0003]在等离子体切单中，使用蚀刻工艺进行管芯切单。可使用速率比电介质和/或金属高得多的选择性蚀刻硅的化学方法来执行蚀刻工艺。与其他切单技术相比，等离子体切单提供了许多优点，诸如支持较窄的划线、提供增加的吞吐量以及提供以不同且灵活的图案切单管芯的能力。

技术实现思路

[0004]根据一个一般方面，一种半导体管芯包括：衬底，该衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及第一多个侧壁凹陷部，该第一多个侧壁凹陷部形成在衬底的第一表面与第二表面之间的侧壁中，第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一深度。该半导体管芯包括第二多个侧壁凹陷部，该第二多个侧壁凹陷部形成在衬底的侧壁中并且设置在第一多个侧壁凹陷部与第二表面之间，第二多个侧壁凹陷部各自具有大于第一深度的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体管芯，所述半导体管芯包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；第一多个侧壁凹陷部，所述第一多个侧壁凹陷部形成在所述衬底的在所述第一表面与所述第二表面之间的侧壁中，所述第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一深度；和第二多个侧壁凹陷部，所述第二多个侧壁凹陷部形成在所述衬底的所述侧壁中并且设置在所述第一多个侧壁凹陷部与所述第二表面之间，所述第二多个侧壁凹陷部各自具有至少第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一宽度，并且其中所述第二多个侧壁凹陷部各自具有至少第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述第一多个侧壁凹陷部沿着所述半导体管芯的第一长度在所述第一表面与所述第二表面之间延伸，并且其中所述第二多个侧壁凹陷部沿着第二长度从所述第一多个侧壁凹陷部延伸到所述第二表面。4.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述第二深度为所述第一深度的至少两倍。5.一种半导体管芯，所述半导体管芯包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；第一多个侧壁凹陷部，所述第一多个侧壁凹陷部形成在所述衬底的侧壁中并且从所述第一表面沿着所述侧壁的第一长度延伸，所述第一多个侧壁凹陷部各自限定至多第一深度；和第二多个侧壁凹陷部，所述第二多个侧壁凹陷部形成在所述衬底的所述侧壁中并且沿着所述侧壁的第二长度在所述第一多个侧壁凹陷部与所述第二表面之间延伸，所述第二多个侧壁凹陷部各自限定至少第二深度，所述第二深度大于所述第一深度。6.根据权利要求5所述的半导体管芯，其中所述第一多个侧壁凹陷部各自具有至多第一宽度，并且其中所述第二多个侧壁凹陷部各自具有至少第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。7.一种制造半导体管芯的方法，所述方法包括：在衬底的侧壁中形成第一多个侧壁凹陷部，并且使所述第一多个侧壁凹陷部沿着所述侧壁的第一长度从所述衬底的第一表面延伸，所述第一多个侧壁凹陷部各自限定至多第一深度；以及在所述衬底的所述侧壁中形成第二多个侧壁凹陷部，并且使所述第二多个侧壁凹陷部沿着所述侧壁的第二长度在...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪正杓，莫哈默德阿克巴尔莫哈默德萨姆，G，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：