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本发明题为“等离子体切单的、污染物减少的半导体管芯”。本发明公开了无污染物等离子体切单工艺，其中将在等离子体切单期间使用的材料的残余物从所得半导体管芯的侧壁完全去除，而不损坏该半导体管芯。通过此类无污染物等离子体切单工艺，可制造半导体管芯。...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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