晶圆表面金属离子收集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种晶圆表面金属离子收集装置，所述装置包括晶圆固定单元和扫描单元，所述晶圆固定单元用于固定晶圆，所述扫描单元用于对所述晶圆的下表面接触扫描，所述扫描单元位于所述晶圆固定单元下方。通过将金属收集溶液扫描单元设置在晶圆的下方，避免了金属收集溶液在晶圆表面呈摊开状或在扫描过程中扫描管拖不住金属收集溶液的情况，提高了检测亲水性晶圆表面金属收集的成功率；所述晶圆表面朝下，避免了FFU吹下污染物到晶圆表面上，避免了检测结果不准确；所述扫描单元还连接有在线配置金属收集溶液，可以减少人为配置中的金属收集溶液的污染，无需人员接触化学品，提高了安全性。高了安全性。高了安全性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面金属离子收集装置


[0001]本技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种晶圆表面金属离子收集装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体器件的尺寸不断缩小，芯片中元件的密度不断增加，元件之间的距离变得越来越小，甚至小到纳米级。在晶圆的整个加工过程中及在芯片的制造环节中(如化学气相沉积(CVD)、离子注入(Implant)、刻蚀(ETCH)等)会引入元件间的痕量杂质元素，进而可能使芯片的合格率降低。其中金属离子在半导体材料中的活动性非常高，被称为可移动离子沾污(MIC)，当MIC引入到晶圆中时，在整个晶圆中移动，严重损害器件电学性能和长期可靠性。因此对晶圆进行表面金属离子检测已成为半导体制造过程中不可缺少的环节。
[0003]为了实现痕量金属离子的测试，必须使用VPD(Vapor Phase Decomposition，即气相分解)机台进行晶圆表面金属离子的收集，然后配合ICPMS(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，即电感耦合等离子体质谱)进行检测分析，气相分解进行晶圆表面金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，包括：晶圆固定单元和扫描单元，所述晶圆固定单元用于固定晶圆，所述扫描单元位于所述晶圆固定单元的下方，用于对所述晶圆的下表面接触扫描。2.如权利要求1所述的晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，所述晶圆固定单元包括转轴和晶圆夹，所述晶圆夹用于固定晶圆，所述转轴与所述晶圆夹固定连接，所述转轴转动以带动所述晶圆夹和所述晶圆旋转。3.如权利要求2所述的晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，所述晶圆夹设置有多个钩爪，用于固定晶圆。4.如权利要求2所述的晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，所述晶圆固定单元连接有控制装置，所述控制装置用于驱动所述晶圆固定单元的旋转。5.如权利要求1所述的晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，所述扫描单元包括扫描管，所述扫描管用于装载金属收集溶液，所述金属收集溶液加满时，所述扫描管的表面具有凸起部分，所述凸起部分的金属收集溶液与所述晶圆的下表面接触扫描。6.如权利要求5所述的晶圆表面金属离子收集装置，其特征在于，所述扫描管还设置有移液腔，用于将收集...

【专利技术属性】
技术研发人员：李克飞，何震，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：