显示装置及制造显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及制造显示装置的方法。制造显示装置的方法包括：在衬底上形成第一发光区域；以及通过从第一发光区域发射第一光，在第一发光区域上形成第一颜色调节图案，其中第一发光区域包括第一半导体层、提供在第一半导体层上的第二半导体层、布置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层、电连接衬底和第一半导体层的第一接触以及电连接到第二半导体层的第一初始公共电极。第二半导体层的第一初始公共电极。第二半导体层的第一初始公共电极。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及制造显示装置的方法


[0001]本公开涉及显示装置及制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器被广泛用作显示装置。近来，使用微型发光二极管(micro-LED)制造高分辨率显示装置的技术已经引起了关注。然而，需要高效率和小的LED芯片来制造使用micro-LED的高分辨率显示装置，并且需要高水平的转移技术来将小的LED芯片布置在适当的位置。

技术实现思路

[0003]提供了具有提高的耐久性的显示装置及制造该显示装置的方法。
[0004]提供了制造显示装置的方法，其提供了提高的产量。
[0005]另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述变得明显，或者可以通过实践本公开的提出的实施方式而获知。
[0006]根据本公开的一方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成第一发光区域；以及通过从第一发光区域发射第一光，在第一发光区域上形成第一颜色调节图案，其中，形成第一发光区域包括：提供第一半导体层、第一有源层和第二半导体层，第一有源层在第一半导体层和第二半导体层之间；提供电连接支撑衬底和第一半导体层的第一接触；提供电连接到所述第二半导体层的第一初始公共电极。
[0007]在支撑衬底上形成第一发光区域包括：在生长衬底上顺序地形成第二半导体层、第一有源层和第一半导体层；在第一半导体层上形成第一接触；在第一接触上形成支撑衬底；去除生长衬底；以及在第二半导体层的通过去除生长衬底而暴露的表面上形成第一初始公共电极。
[0008]支撑衬底可以直接接合到第一接触。
[0009]所述方法还可以包括在支撑衬底和第一接触之间形成接合层，其中，支撑衬底和第一接触通过接合层彼此接合。
[0010]第一颜色调节图案的形成可以包括：在第一有源层上提供第一颜色调节材料层；通过将第一光发射到第一颜色调节材料层而固化第一颜色调节材料层的一部分；以及去除第一颜色调节材料层的未固化部分。
[0011]所述方法可以还包括在第二半导体层的上表面上提供第一光提取图案。
[0012]第一发光区域的形成可以还包括形成第一初始驱动晶体管，其中第一初始驱动晶体管的源极区电连接到第一接触。
[0013]所述方法可以还包括在支撑衬底上形成第二发光区域；以及通过从第二发光区域发射第二光，在第二发光区域上形成第二颜色调节图案，其中，第二发光区域的形成可以包括：提供第三半导体层；在第三半导体层上提供第四半导体层；在第三半导体层和第四半导体层之间提供第二有源层；提供电连接支撑衬底和第三半导体层的第二接触；以及提供电
连接到第四半导体层的第二初始公共电极，其中第一发光区域和第二发光区域沿着与支撑衬底的上表面平行的第一方向彼此间隔开。
[0014]第一光的发射可以包括：将第一电压施加到第一初始公共电极；将不同于第一电压的第二电压施加到第二初始公共电极；将接地电压施加到支撑衬底，第一电压的大小大于第二电压的大小。
[0015]第二光的发射可以包括：将第三电压施加到第一初始公共电极；将不同于第三电压的第四电压施加到第二初始公共电极；以及将接地电压施加到支撑衬底，其中，第四电压的大小大于第三电压的大小。
[0016]所述方法可以还包括在第一发光区域和第二发光区域之间形成隔离区域，其中该隔离区域通过离子注入工艺形成。
[0017]第二颜色调节图案的形成可以包括：在第二发光区域上提供第二颜色调节材料层；通过将第二光照射到第二颜色调节材料层而固化第二颜色调节材料层的一部分；以及去除第二颜色调节材料层的未固化部分。
[0018]所述方法可以还包括在第一颜色调节图案和第二颜色调节图案之间形成光吸收分隔壁。
[0019]所述方法可以还包括在光吸收分隔壁与第一颜色调节图案之间形成第一反射膜；以及在光吸收分隔壁与第二颜色调节图案之间形成第二反射膜。
[0020]所述方法可以还包括在光吸收分隔壁的上表面上形成第三反射膜。
[0021]所述方法可以还包括：在第一颜色调节图案和第二颜色调节图案之间形成绝缘分隔壁；在绝缘分隔壁和第一颜色调节图案之间形成第一反射膜；以及在绝缘分隔壁和第二颜色调节图案之间形成第二反射膜，其中绝缘分隔壁具有透光性。
[0022]绝缘分隔壁的宽度可以在垂直于支撑衬底的上表面的第二方向上减小，并且其中绝缘分隔壁的宽度可以是绝缘分隔壁沿第一方向的尺寸。
[0023]绝缘分隔壁的宽度可以是恒定的，并且其中绝缘分隔壁的宽度可以是绝缘分隔壁沿第一方向的尺寸。
[0024]所述方法可以还包括：在第一颜色调节图案上形成第一滤色器；以及在第二颜色调节图案上形成第二滤色器，其中，第一滤色器允许第一颜色光通过，第二滤色器允许第二颜色光通过，第一颜色光不同于第二颜色光。
[0025]根据本公开的另一方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在生长衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成沿着第一方向布置的有源图案，该第一方向平行于第一半导体层的上表面；分别在有源图案上形成第二半导体层；分别在第二半导体层上形成一个或更多个接触；将支撑衬底接合到所述一个或更多个接触上；去除生长衬底；在有源图案的与第二半导体层相反的一侧上形成分别对应于一个或更多个有源图案的一个或更多个初始公共电极；以及通过从有源图案发射光，分别在有源图案上形成颜色调节图案。
[0026]所述方法可以还包括通过对由去除生长衬底而暴露的第一半导体层执行蚀刻工艺来减小第一半导体层的厚度。
[0027]所述方法可以还包括图案化第一半导体层以分别在有源图案上形成光提取图案。
[0028]所述方法可以还包括在初始公共电极中分别形成暴露第一半导体层的开口。
[0029]生长衬底的去除可以包括对生长衬底执行抛光工艺和干蚀刻工艺，其中，生长衬底包括硅(Si)。
[0030]生长衬底的去除可以包括使用激光对生长衬底执行剥离工艺，其中生长衬底包括蓝宝石。
[0031]在颜色调节图案当中，可以在不同的时间形成发射具有不同颜色的光的颜色调节图案。
[0032]根据本公开的另一方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在衬底上形成第一接触、第二接触和第三接触，其沿平行于衬底的上表面的第一方向布置；在第一接触上形成第一发光图案、在第二接触上形成第二发光图案、在第三接触上形成第三发光图案；在第一发光图案上形成第一初始公共电极和在第二发光图案上形成第二初始公共电极；通过从第一发光图案发射第一光，在第一发光图案上形成第一颜色调节图案；以及通过从第二发光图案发射第二光，在第二发光图案上形成第二颜色调节图案，其中，第一发光图案、第二发光图案和第三发光图案的每个包括第一半导体层、第二半导体层以及提供在第一和第二半导体层之间的有源层。
[0033]可以在不同的时间执行第一颜色调节图案的形成和第二颜色调节图案的形成。
[0034]所述方法可以还包括在第三发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在支撑衬底上形成第一发光区域；以及通过从所述第一发光区域发射第一光，在所述第一发光区域上形成第一颜色调节图案，其中，所述第一发光区域的形成包括：提供第一半导体层、第一有源层和第二半导体层，所述第一有源层在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；提供电连接所述支撑衬底和所述第一半导体层的第一接触；以及提供电连接到所述第二半导体层的第一初始公共电极。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述支撑衬底上形成所述第一发光区域包括：在生长衬底上顺序地形成所述第二半导体层、所述第一有源层和所述第一半导体层；在所述第一半导体层上形成所述第一接触；在所述第一接触上形成所述支撑衬底；去除所述生长衬底；以及在所述第二半导体层的通过去除所述生长衬底而暴露的表面上形成所述第一初始公共电极。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述支撑衬底直接接合到所述第一接触。4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述支撑衬底和所述第一接触之间形成接合层，其中，所述支撑衬底和所述第一接触通过所述接合层彼此接合。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一颜色调节图案的形成包括：在所述第一有源层上提供第一颜色调节材料层；通过将所述第一光发射到所述第一颜色调节材料层而固化所述第一颜色调节材料层的一部分；以及去除所述第一颜色调节材料层的未固化部分。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二半导体层的上表面上提供第一光提取图案。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一发光区域还包括：形成第一初始驱动晶体管，其中，所述第一初始驱动晶体管的源极区电连接到所述第一接触。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述支撑衬底上形成第二发光区域；以及通过从所述第二发光区域发射第二光，在所述第二发光区域上形成第二颜色调节图案，其中，所述第二发光区域的形成包括：提供第三半导体层；在所述第三半导体层上提供第四半导体层；在所述第三半导体层和所述第四半导体层之间提供第二有源层；
提供电连接所述支撑衬底和所述第三半导体层的第二接触；以及提供电连接到所述第四半导体层的第二初始公共电极，其中，所述第一发光区域和所述第二发光区域沿着与所述支撑衬底的上表面平行的第一方向彼此间隔开。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一光的发射包括：将第一电压施加到所述第一初始公共电极；将不同于所述第一电压的第二电压施加到所述第二初始公共电极；以及将接地电压施加到所述支撑衬底，其中，所述第一电压的大小大于所述第二电压的大小。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二光的发射包括：将第三电压施加到所述第一初始公共电极；将不同于所述第三电压的第四电压施加到所述第二初始公共电极；以及将接地电压施加到所述支撑衬底，其中，所述第四电压的大小大于所述第三电压的大小。11.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述第一发光区域和所述第二发光区域之间形成隔离区域；其中，所述隔离区域通过离子注入工艺形成。12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二颜色调节图案的形成包括：在所述第二发光区域上提供第二颜色调节材料层；通过将所述第二光照射到所述第二颜色调节材料层而固化所述第二颜色调节材料层的一部分；以及去除所述第二颜色调节材料层的未固化部分。13.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一颜色调节图案和所述第二颜色调节图案之间形成光吸收分隔壁。14.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述光吸收分隔壁和所述第一颜色调节图案之间形成第一反射膜；以及在所述光吸收分隔壁和所述第二颜色调节图案之间形成第二反射膜。15.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述光吸收分隔壁的上表面上形成第三反射膜。16.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述第一颜色调节图案和所述第二颜色调节图案之间形成绝缘分隔壁；在所述绝缘分隔壁和所述第一颜色调节图案之间形成第一反射膜；以及在所述绝缘分隔壁和所述第二颜色调节图案之间形成第二反射膜，其中，所述绝缘分隔壁具有透光性。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述绝缘分隔壁的宽度在垂直于所述支撑衬底的所述上表面的第二方向上减小，以及其中，所述绝缘分隔壁的所述宽度是所述绝缘分隔壁的沿所述第一方向的尺寸。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述绝缘分隔壁的宽度是恒定的，其中，所述绝缘分隔壁的宽度是所述绝缘分隔壁的沿所述第一方向的尺寸。19.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述第一颜色调节图案上形成第一滤色器；以及在所述第二颜色调节图案上形成第二滤色器，其中，所述第一滤色器允许第一颜色光通过，所述第二滤色器允许第二颜色光通过，所述第一颜色光不同于所述第二颜色光。20.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在生长衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成沿第一方向布置的有源图案，所述第一方向与所述第一半导体层的上表面平行；在所述有源图案上分别形成第二半导体层；在所述第二半导体层上分别形成一个或更多个接触；将支撑衬底接合到所述一个或更多个接触上；去除所述生长衬底；在所述有源图案的与所述第二半导体层相反的一侧上形成分别对应于所述有源图案中的一个或更多个有源图案的一个或更多个初始公共电极；以及通过从所述有源图案发射光而在所述有源图案上分别形成颜色调节图案。21.根据权利要求20所述的方法，还包括：通过对由去除所述生长衬底而暴露的所述第一半导体层执行蚀刻工艺，减小所述第一半导体层的厚度。22.根据权利要求20所述的方法，还包括图案化所述第一半导体层以分别在所述有源图案上形成光提取图案。23.根据权利要求20所述的方法，还包括在所述初始公共电极中分别形成开口，所述开口暴露所述第一半导体层。24.根据权利要求20所述的方法，其中去除所述生长衬底包括对所述生长衬底执行抛光工艺和干蚀刻工艺，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洛铉，崔濬熙，孔基毫，郑得锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：