一种碳@SiO制造技术

本发明专利技术提供了一种碳@SiO

【技术实现步骤摘要】
一种碳@SiO
x
/C@碳纳米管复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电化学储能
，具体而言，涉及一种碳@SiO
x
/C@碳纳米管复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]便携式电子器件和电动车为代表的新型设备对能够快速充电的高能量密度锂离子电池技术提出了重大需求。但目前大多数的锂离子电池都是以石墨材料作为负极，而石墨负极的理论比容量只有372mAh g
‑1，严重限制了锂离子电池的发展。相比之下，硅Si负极的理论比容量高达4200mAh g
‑1，且脱嵌锂的电位与石墨相当，在高能量和高功率密度的电池开发进程中Si基负极是取代石墨负极的最佳材料之一。然而，硅基负极材料在循环过程中由于膨胀/收缩较大，容易造成材料结构的粉化和脱落，严重阻碍其工业化的发展。
[0003]硅氧负极材料SiO
x
(0<x<2)材料因在首次嵌锂后生成的硅酸锂和氧化锂物质能够对体积膨胀起到一定的缓冲作用，且具有相对稳定的循环性能，吸引了研究者的广泛关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳@SiO
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/C@碳纳米管复合材料的制备方法，其特征在于，具体步骤为：S1、将硅源和碳纳米管粒子分散在混合溶剂中，加入氨水，离心干燥后得到有机硅@碳纳米管复合材料；S2、将所述有机硅@碳纳米管复合材料置于管式炉内，在保护气氛下进行一次碳化，随后通入有机气体进行二次碳化，最后冷却至室温，即得到碳@SiO
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/C@碳纳米管复合材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅源包括乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙炔基三乙氧基硅烷、乙炔基三甲氧基硅烷、三氨丙基三甲氧基硅烷和三氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或多种；所述碳纳米管粒子包括单壁碳纳米管分散液、多壁碳纳米管分散液、单壁碳纳米管粉末和多壁碳纳米管粉末中的一种或多种；所述混合溶剂包括去离子水、乙醇、乙二醇、正丁醇和异丙醇中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，S1中，所述硅源与所述碳纳米管粒子的体积/质量比为0.001
‑
100。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨水的浓度为(0.01
‑
25)wt.％。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨水的加入速度为(0.01
‑
20)秒/滴。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S2中，所述在保护气氛下进行一次碳化，具体为：在保护气...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亮，张媛媛，沙玉静，麦立强，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：