一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC-DC转换系统技术方案

本发明专利技术属于DC

【技术实现步骤摘要】
一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC
‑
DC转换系统


[0001]本专利技术属于DC
‑
DC转换系统
，具体地说，尤其涉及一种基于国产 芯片EG7500的低压大电流DC
‑
DC转换系统。

技术介绍

[0002]DC
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DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC
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DC转 换器分为三类：升压型DC
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DC转换器、降压型DC
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DC转换器以及升降压型DC
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DC 转换器。根据需求可采用三类控制。PWM控制型效率高并具有良好的输出电压纹 波和噪声。PFM控制型即使长时间使用，尤其小负载时具有耗电小的优点。 PWM/PFM转换型小负载时实行PFM控制，且在重负载时自动转换到PWM控制。 DC
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DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。 在电路类型分类上属于斩波电路。
[0003]随着科技的发展，DC
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DC转换器已经被各行各业广泛运用。国内各单位也对 DC
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DC转换器也进行了多种多样的研究，但是在效率这一项上仍然拥有可提升的 空间和方法。在这一宏观背景下，一款纯国产化的低电压、大电流、高效率、 低成本的DC
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DC转化系统诞生了。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本专利技术提供一种基于国产芯片EG7500的低压大 电流DC
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DC转换系统，解决了DC
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DC转换器静态工作电流大、转换效率低的问 题。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种基于国产芯片EG7500的低 压大电流DC
‑
DC转换系统,包括电源，所述电源连接有PWM芯片，所述PWM芯片 连接有图腾柱电路；
[0006]所述PWM芯片还连接有控制电路，所述控制电路连接有取样电路，所述取 样电路连接有输出电路；
[0007]所述电源、图腾柱电路与输出电路之间通过MOS管相连，所述MOS管与取 样电路和输出电路之间还连接有电阻。
[0008]进一步的，所述PWM芯片包括芯片U3，所述芯片U3的第一引脚连接有电阻 R10、电阻R14、电阻R16和滑动电阻R18，所述电阻R10接地；所述芯片U3的 第二引脚连接有电阻R9、电阻R8、电阻R7、电阻R5、电阻R1，所述电阻R9接 地，所述电阻R8连接有电容C11，所述电阻R5和电阻R1之间连接有电压基准 芯片U1，所述电阻R1和电压基准芯片U1之间连接有电容C2，所述电阻R5和 电压基准芯片U1之间连接有电容C5，所述电容C5和电压基准芯片U1同时接地； 所述芯片U3的第三引脚连接于电阻R7和电容C11；所述芯片U3的第四引脚接 地；所述芯片U3的第五引脚连接有电容C13，所述电容C13接地；所述芯片U3 的第六引脚连接有电阻R13，所述电阻R13接地；所述芯片U3的第七引脚接地； 所述芯片U3的第八引脚连接有电阻R20和电阻R21，所述电阻R20、电阻R21 和第八引脚连接于MOS管Q11；所述芯片U3的第九引脚连接有电阻R19；所述 芯片U3的第十一引脚上连接有电阻R38和电阻R39，所述电阻
R38、电阻R39 和第十一引脚之间通过MOS管Q19相连，所述电阻R38还连接有电容C37和电 容C38，所述MOS管Q19还连接有MOS管Q17，所述MOS管Q17连接有电阻R36， 所述MOS管Q17与电阻R36之间连接有电阻R34，所述电阻R36连接有三极管Q18，所述三极管Q18接地；所述芯片U3的第十二引脚连接有电容C17和电容 C18；所述芯片U3的第十四引脚连接有电容C19和电阻R29，所述电容C19和电 阻R29之间连接有电阻R27；所述芯片U3的第十五引脚连接于电阻R29和电阻 R27；所述芯片U3的第十引脚、第十三引脚、第十六引脚和电阻R19、电容C17、 电容C18、电容C19和电阻R29接地。
[0009]进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R4，所述电阻R4上连接有三极管Q1、 三极管Q2、TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5，所述三极管Q1、三极管Q2 又连接有电阻R2，所述TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5既连接于三极管 Q1又连接于电容C15的正极，所述电容C15的负极接地；所述三极管Q2还连接 有电容C9、电容C10和电感L1,所述电容C9和电容C10接地；所述电阻R4的 两端还连接有电容C6。
[0010]进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R6，所述电阻R6上连接有三极管Q3、 三极管Q4、TVS二极管D2、电阻R12和MOS管Q6，所述三极管Q3、三极管Q4 又连接有电阻R3，所述TVS二极管D4、电阻R12和MOS管Q6连接于三极管Q1； 所述电阻R6的两端还连接有电容C8。
[0011]进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R28，所述电阻R28上连接有三极管 Q14、三极管Q15、TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20，所述三极管Q14、三 极管Q15又连接有电阻R23，所述TVS二极管D6、电阻R37和MOS管Q20连接 于三极管Q14；所述电阻R28的两端还连接有电容C20。
[0012]进一步的，所述图腾柱电路包括电阻R22，所述电阻R22上连接有三极管 Q9、三极管Q10、TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16，所述三极管Q9、三极 管Q10相连，所述TVS二极管D5、电阻R26和MOS管Q16连接于三极管Q14并 接地；所述电阻R22的两端还连接有电容C16。
[0013]进一步的，所述输出电路包括电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和 电容C22，所述电容C25、电容C28、电容C31、电容C35和电容C22的正极分 别连接有电感L2和电感L4，所述电感L4连接有电容C26、电容C29、电容C33、 电容C36、电容C23和电阻R57，所述电感L4与电容C23的正极相连，所述电 容C22的负极和电容C23的负极相连，所述电阻R57连接有输出出线端P2和电 感L3，所述电感L3连接有电容C27、电容C30、电容C34、电阻R54和输出出 线端P1，所述电感L3与电容C27的正极相连，所述电容C27的负极、电容C30 和电容C34接地。
[0014]进一步的，所述电阻R57和电阻R54为取样电阻。
[0015]本专利技术的有益效果：
[0016]1、本专利技术解决了DC
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DC转换器静态工作电流大的问题；
[0017]2、在控制成本的条件下，本专利技术比市面上常用的同电压范围的DC
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DC转换 器的效率高得多。
附图说明
[0018]为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0019]图1是本专利技术的结构示意框图；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC
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DC转换系统,其特征在于：包括电源，所述电源连接有PWM芯片，所述PWM芯片连接有图腾柱电路；所述PWM芯片还连接有控制电路，所述控制电路连接有取样电路，所述取样电路连接有输出电路；所述电源、图腾柱电路与输出电路之间通过MOS管相连，所述MOS管与取样电路和输出电路之间还连接有电阻。2.根据权利要求1所述的一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC
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DC转换系统,其特征在于：所述PWM芯片包括芯片U3，所述芯片U3的第一引脚连接有电阻R10、电阻R14、电阻R16和滑动电阻R18，所述电阻R10接地；所述芯片U3的第二引脚连接有电阻R9、电阻R8、电阻R7、电阻R5、电阻R1，所述电阻R9接地，所述电阻R8连接有电容C11，所述电阻R5和电阻R1之间连接有电压基准芯片U1，所述电阻R1和电压基准芯片U1之间连接有电容C2，所述电阻R5和电压基准芯片U1之间连接有电容C5，所述电容C5和电压基准芯片U1同时接地；所述芯片U3的第三引脚连接于电阻R7和电容C11；所述芯片U3的第四引脚接地；所述芯片U3的第五引脚连接有电容C13，所述电容C13接地；所述芯片U3的第六引脚连接有电阻R13，所述电阻R13接地；所述芯片U3的第七引脚接地；所述芯片U3的第八引脚连接有电阻R20和电阻R21，所述电阻R20、电阻R21和第八引脚连接于MOS管Q11；所述芯片U3的第九引脚连接有电阻R19；所述芯片U3的第十一引脚上连接有电阻R38和电阻R39，所述电阻R38、电阻R39和第十一引脚之间通过MOS管Q19相连，所述电阻R38还连接有电容C37和电容C38，所述MOS管Q19还连接有MOS管Q17，所述MOS管Q17连接有电阻R36，所述MOS管Q17与电阻R36之间连接有电阻R34，所述电阻R36连接有三极管Q18，所述三极管Q18接地；所述芯片U3的第十二引脚连接有电容C17和电容C18；所述芯片U3的第十四引脚连接有电容C19和电阻R29，所述电容C19和电阻R29之间连接有电阻R27；所述芯片U3的第十五引脚连接于电阻R29和电阻R27；所述芯片U3的第十引脚、第十三引脚、第十六引脚和电阻R19、电容C17、电容C18、电容C19和电阻R29接地。3.根据权利要求1所述的一种基于国产芯片EG7500的低压大电流DC
‑
DC转换系统,其特征在于：所述图腾柱电路包括电阻R4，所述电阻R4上连接有三极管Q1、三极管Q2、TVS二极管D1、电阻R11和MOS管Q5，所述三极管Q1、三极管Q2又连接有电阻R2，所述TVS二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋永玉，钱晓健，宗逸帆，
申请(专利权)人：扬州东博电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：