一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法技术

本发明专利技术涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，包括如下步骤：在金刚石衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层形成多量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。本发明专利技术可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法可直接调整外延结构中C基金刚石偏振光栅过滤结构，达到所需的偏振光源，无需外部附加涂覆薄膜调制结构，避免了过多光功率的损失，由该方法制作的UV紫外光电芯片，直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。直接发出的光就是所定制需求的偏振光源。

【技术实现步骤摘要】
一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法


[0001]本专利技术涉及外延材料生长方法领域，具体涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法。

技术介绍

[0002]传统的GaN、AlGaN、AlN材料的生长技术与性能表征技术已经有了很大进步，尤其是采用MOCVD方法制备技术已经发展成为商业化的技术。相对而言，ALGaN三元化合物以及AlInGaN四元化合物的材料生长与紫外LED器件的制备技术还很不成熟，许多基本物理化学问题尚未得到合理而科学的解释。由于缺乏本征的衬底材料，III族氮化物半导体材料主要还是采用在蓝宝石衬底上进行的异质外延生长的方法。因为蓝宝石衬底与III族氮化物材料之间存在较大的晶格失配和热失配，从而在材料中引入巨大的缺陷密度，对外延层的晶体质量与光电特性代来严重的负面影响，最终有损于器件的可靠性和使用寿命。
[0003]根据AlGaN薄膜质量测试分析，发现适当厚度的HT
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AlN缓冲层可以有效地改善AlGaN薄膜的晶体质量。原因是AlN缓冲层可以当作过渡层或者调制层来减少蓝宝石衬底与AlGaN薄膜之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在金刚石衬底上生长AlN层；(2)在所述AlN层上生长n型AlGaN层；(3)在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复生长若干组AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层形成多量子阱层；(4)在所述多量子阱层上生长P型AlGaN层。2.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述AlGaN阱层的生长温度为1000
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1300℃。3.根据权利要求1所述的可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，其特征在于，所述AlGaN/AlN过度层的厚度为100
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300nm。4.根据权利要求1所述的可...

【专利技术属性】
技术研发人员：南琦，
申请(专利权)人：木昇半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：