芯片扩膜方法技术

本公开提供了芯片扩膜方法，属于发光二极管技术领域。如果第一承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，需要进行调整操作，对第一承载膜进行加热，作为热收缩膜的第一承载膜缩膜，直至第一承载膜上每两个相邻的发光二极管芯粒之间的间距均为零；将第一承载膜上的多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜并对第二承载膜进行扩膜，使每两个相邻的发光二极管芯粒之间的距离均相等。若第二承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至第二承载膜上多个发光二极管芯粒分布均匀。相对于传统方式中，发光二极管芯粒排列不整齐就需要重新排列或直接报废的情况，可以大幅度提高发光二极管的制备效率并降低发光二极管的制备成本。制备成本。制备成本。

【技术实现步骤摘要】
芯片扩膜方法


[0001]本公开涉及发光二极管
，特别涉及芯片扩膜方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。发光二极管外延片是发光二极管芯片的基础结构，从发光二极管外延片制备得到发光二极管芯片，至少需要经过切割裂片、扩膜、分拣、固晶与封装的过程。
[0003]发光二极管外延片在经过切割裂片与扩膜之后，在第一承载膜上会得到多个相互间距的、由发光二极管外延片切割裂片得到的多个发光二极管芯粒。
[0004]在扩膜的过程中，如果由于设备不稳定或工艺波动导致多个发光二极管芯粒之间的间距不均匀或排列不整齐的情况，会影响固定的效率，需要对多个发光二极管芯粒重新排列。对于尺寸过于小而难以重新排列的发光二极管芯粒，则第一承载膜上的多个发光二极管芯粒会直接报废，影响发光二极管芯片的制备效率并造成浪费。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了芯片扩膜方法，能够实现扩膜之后芯片整齐排列的同时降低实现这一目的所需成本。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种芯片扩膜方法，所述芯片扩膜方法包括：
[0007]提供位于第一承载膜上的多个发光二极管芯粒，每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零，所述第一承载膜为热收缩膜；
[0008]对所述第一承载膜进行扩膜；
[0009]若所述第一承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则对所述第一承载膜进行调整操作，以使多个所述发光二极管芯粒分布均匀；
[0010]所述调整操作，包括：
[0011]对所述第一承载膜进行加热，直至所述第一承载膜缩膜至所述第一承载膜上每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零；
[0012]将所述第一承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜；
[0013]对所述第二承载膜进行扩膜；
[0014]若所述第二承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至所述第二承载膜上所述多个发光二极管芯粒分布均匀。
[0015]可选地，所述对所述第一承载膜进行加热，包括：
[0016]在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载膜进行加热。
[0017]可选地，所述对所述第一承载膜进行加热，还包括：
[0018]在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载膜加热2～3min。
[0019]可选地，所述对所述第一承载膜进行加热，还包括：
[0020]将所述第一承载膜放置在加热板上进行加热。
[0021]可选地，所述调整操作还包括：
[0022]对所述第一承载膜进行调整操作之前，取下所述第一承载膜上的支撑环。
[0023]可选地，所述将所述第一承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜，包括：
[0024]将所述第一承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至中间承载膜；
[0025]将所述中间承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至所述第二承载膜。
[0026]可选地，所述第二承载膜为热收缩膜。
[0027]可选地，所述第二承载膜的材料与所述第一承载膜的材料相同。
[0028]可选地，所述热收缩膜的材料为聚氯乙烯、聚氨酯或乙烯基。
[0029]可选地，所述芯片扩膜方法，还包括：
[0030]对所述第一承载膜进行调整操作之前，使用测量仪器检查是否多个所述发光二极管芯粒分布均匀。
[0031]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0032]第一承载膜上具有多个发光二极管芯粒，且每两个相邻的发光二极管芯粒之间的距离均为零。对第一承载膜进行扩膜，可以便于后续对发光二极管芯粒的分拣和固晶。第一承载膜在扩膜之后，如果第一承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，则需要对第一承载膜进行调整操作，以使每两个相邻的发光二极管芯粒之间的间距相等，再进行后续分拣及固晶等操作。进行调整操作时，需要先对第一承载膜进行加热，作为热收缩膜的第一承载膜缩膜，直至第一承载膜上每两个相邻的发光二极管芯粒之间的间距均为零；第一承载膜达到此状态之后，需要将第一承载膜上的多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜并对第二承载膜进行扩膜，使每两个相邻的发光二极管芯粒之间的距离均相等。若第二承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至第二承载膜上多个发光二极管芯粒分布均匀。第一承载膜上的发光二极管芯粒排列不够整体时，通过缩膜、倒膜与重新扩膜的调整操作即可完成对发光二极管芯粒的位置调整并进行后续流程，相对于传统方式中，发光二极管芯粒排列不整齐就需要重新排列或直接报废的情况，可以大幅度提高发光二极管的制备效率并降低发光二极管的制备成本。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本公开实施例提供的一种芯片扩膜方法流程图；
[0035]图2是本公开实施例所提供的多个发光二极管芯粒的一种状态示意图；
[0036]图3是本公开实施例所提供的多个发光二极管芯粒的另一种状态示意图；
[0037]图4是本公开实施例所提供的多个发光二极管芯粒的又一种状态示意图；
[0038]图5是本公开实施例提供的另一种芯片扩膜方法流程图；
[0039]图6是本公开实施例提供的调整操作的流程示意图。
具体实施方式
[0040]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0041]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则相对位置关系也可能相应地改变。
[0042]图1是本公开实施例提供的一种芯片扩膜方法流程图，如图1所示，本公开实施例提供了一种芯片扩膜方法，该芯片扩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片扩膜方法，其特征在于，所述芯片扩膜方法包括：提供位于第一承载膜上的多个发光二极管芯粒，每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零，所述第一承载膜为热收缩膜；对所述第一承载膜进行扩膜；若所述第一承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则对所述第一承载膜进行调整操作，以使多个所述发光二极管芯粒分布均匀，所述第一承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，指所述第一承载膜上每相邻的两个发光二极管芯粒之间的间距均相等；所述调整操作，包括：对所述第一承载膜进行加热，直至所述第一承载膜缩膜至所述第一承载膜上每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零；将所述第一承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜；对所述第二承载膜进行扩膜；若所述第二承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至所述第二承载膜上所述多个发光二极管芯粒分布均匀。2.根据权利要求1所述的芯片扩膜方法，其特征在于，所述对所述第一承载膜进行加热，包括：在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载膜进行加热。3.根据权利要求2所述的芯片扩膜方法，其特征在于，所述对所述第一承载膜进行加热，还包括：在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩然，肖千宇，蔡永成，闫俊辰，薛康，张少峰，王斌，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：