芯片扩膜方法技术

本公开提供了芯片扩膜方法，属于发光二极管技术领域。如果第一承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，需要进行调整操作，对第一承载膜进行加热，作为热收缩膜的第一承载膜缩膜，直至第一承载膜上每两个相邻的发光二极管芯粒之间的间距均为零；将第一承载膜上的多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜并对第二承载膜进行扩膜，使每两个相邻的发光二极管芯粒之间的距离均相等。若第二承载膜上的多个发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至第二承载膜上多个发光二极管芯粒分布均匀。相对于传统方式中，发光二极管芯粒排列不整齐就需要重新排列或直接报废的情况，可以大幅度提高发光二极管的制备效率并降低发光二极管的制备成本。制备成本。制备成本。

【技术实现步骤摘要】
芯片扩膜方法


[0001]本公开涉及发光二极管
，特别涉及芯片扩膜方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。发光二极管外延片是发光二极管芯片的基础结构，从发光二极管外延片制备得到发光二极管芯片，至少需要经过切割裂片、扩膜、分拣、固晶与封装的过程。
[0003]发光二极管外延片在经过切割裂片与扩膜之后，在第一承载膜上会得到多个相互间距的、由发光二极管外延片切割裂片得到的多个发光二极管芯粒。
[0004]在扩膜的过程中，如果由于设备不稳定或工艺波动导致多个发光二极管芯粒之间的间距不均匀或排列不整齐的情况，会影响固定的效率，需要对多个发光二极管芯粒重新排列。对于尺寸过于小而难以重新排列的发光二极管芯粒，则第一承载膜上的多个发光二极管芯粒会直接报废，影响发光二极管芯片的制备效率并造成浪费。

技术实现思路

[0005]本公开实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片扩膜方法，其特征在于，所述芯片扩膜方法包括：提供位于第一承载膜上的多个发光二极管芯粒，每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零，所述第一承载膜为热收缩膜；对所述第一承载膜进行扩膜；若所述第一承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则对所述第一承载膜进行调整操作，以使多个所述发光二极管芯粒分布均匀，所述第一承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，指所述第一承载膜上每相邻的两个发光二极管芯粒之间的间距均相等；所述调整操作，包括：对所述第一承载膜进行加热，直至所述第一承载膜缩膜至所述第一承载膜上每两个相邻的所述发光二极管芯粒之间的间距均为零；将所述第一承载膜上的所述多个发光二极管芯粒倒膜至第二承载膜；对所述第二承载膜进行扩膜；若所述第二承载膜上的多个所述发光二极管芯粒分布不均匀，则重复以上步骤，直至所述第二承载膜上所述多个发光二极管芯粒分布均匀。2.根据权利要求1所述的芯片扩膜方法，其特征在于，所述对所述第一承载膜进行加热，包括：在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载膜进行加热。3.根据权利要求2所述的芯片扩膜方法，其特征在于，所述对所述第一承载膜进行加热，还包括：在50℃～60℃的温度条件下对所述第一承载...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩然，肖千宇，蔡永成，闫俊辰，薛康，张少峰，王斌，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：