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本发明涉及一种可调制光栅阵列结构的外延材料生长方法，包括如下步骤：在金刚石衬底上生长AlN层；在所述AlN层上生长n型AlGaN层；在所述n型AlGaN层上依次生长AlGaN阱层、AlGaN/AlN过度层和C基金刚石层、AlN量子垒层，重复...
该专利属于木昇半导体科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过木昇半导体科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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