一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，包括基材层、胶层和离型膜层，所述胶层位于基材层和离型层之间，所述胶层为UV减粘胶水涂布于基材层上烘干制得的，所述UV减粘胶水包括以下重量份组分：丙烯酸胶水，UV单体或低聚物，固化剂，光引发剂，塑化剂，所述丙烯酸胶水包括以下重量份组分：丙烯酸丁酯，醋酸乙烯酯，丙烯酸，甲基丙烯酸羟乙酯，偶氮二异丁腈。本发明专利技术通过丙烯酸聚合物配方设计、低聚物的选择、及塑化剂含量的增减，有效控制胶的软硬度，并且设计的配方交联密度高，通过控制塑化剂的量使胶层与PVC层塑化剂的浓度平衡，在胶层与基材层贴合后，不会受到基材层中塑化剂的影响，从而使胶层达到稳定粘性、无残胶的效果。残胶的效果。残胶的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于UV减粘胶膜
，尤其涉及一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体，LED芯片生产会经历切割、倒膜、周转、扩膜等环节。切割保护膜大多为PVC蓝膜，粘性80g/25mm左右，部分封装厂芯片切割完成后将切割好的芯片翻转到另外一张蓝膜上复合网格离型膜出货。特别的，对于大尺寸的芯片，用一般的蓝膜较难顺利倒膜，蓝膜粘性差异不大。若一味的增加蓝膜的剥离力，会导致芯片拾取的时候很难分开。因此开发一款高剥离力的PVC基材UV减粘膜可以有效的解决大尺寸芯片倒膜困难的问题。
[0003]现有技术方案，PVC减粘膜结构为PVC基材涂布UV减粘胶，复合离型膜。但由于PVC中含有较高的塑化剂会对UV胶的稳定性造成影响，因此大多数产品粘性不稳定、UV膜剥离后有残胶。

技术实现思路

[0004]本专利技术目的在于提供一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法，该通过丙烯酸聚合物配方设计、低聚物的选择、及塑化剂含量的增减，有效控制胶的软硬度，并且设计的配方交联密度高，通过控制塑化剂的量使胶层与PVC层塑化剂的浓度平衡，在胶层与基材层贴合后，不会受到基材层中塑化剂的影响，从而使胶层达到稳定粘性、无残胶的效果。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，包括基材层、胶层和离型膜层，所述胶层位于基材层和离型层之间，所述胶层为UV减粘胶水涂布于基材层上烘干制得的，所述UV减粘胶水包括以下重量份组分：
[0006][0007]UV单体的作用主要起到稀释、控制成品胶粘度的作用，低聚物的作用为UV树脂的主体，通过UV树脂与引发剂的反应来迅速降低粘性。
[0008]其中，通过塑化剂的量来控制胶与PVC中塑化剂的溶度，达到一定的平衡，以确保粘性的稳定。双重固化的设计来达到初期高剥离力，UV后低粘性的特点。
[0009]上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
[0010]1、上述方案中，所述丙烯酸胶水包括以下重量份组分：
[0011][0012]该配方中丙烯酸设计Tg略高，胶偏硬些，分子量大，一定程度上阻隔塑化剂，提升胶的耐温性的作用
[0013]2、上述方案中，所述UV单体或低聚物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、芳香族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸
‑2‑
羟基乙酯、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸
‑
1，6
‑
己二醇酯、二丙烯酸
‑
1，6
‑
己二醇酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二丙烯酸对新戊二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基戊烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化1，6
‑
己二醇二丙烯酸酯、三(2
‑
丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯中的两种或两种以上，以及多官能度低聚物或多官能度单体或其组合物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、季戊四醇四丙烯酸酯双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或两种。
[0014]3、上述方案中，所述固化剂为三苯基甲烷三异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯三聚体、甲苯二异氰酸酯三聚体、异佛尔酮二异氰酸酯三聚体、硫代磷酸三(4
‑
苯基异氰酸酯)中的一种或几种的组合；
[0015]4、上述方案中，所述光引发剂为1
‑
羟基环己基苯基甲酮、2
‑
羟基
‑
甲基苯基丙烷
‑1‑
酮、2
‑
甲基
‑1‑
(4
‑
甲硫基苯基)
‑2‑
吗啉基
‑1‑
丙酮、安息香双甲醚、二苯甲酮、2
‑
异丙基硫杂蒽酮、2,4,6
‑
(三甲基苯甲酰基)
‑
二苯基氧化膦中的一种或几种；
[0016]5、上述方案中，所述塑化剂为邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、对苯二甲酸二辛酯中的一种或多种。
[0017]6、上述方案中，所述基材层为PVC材质，厚度50～100μm。
[0018]7、上述方案中，所述离型膜层为PET单硅离型膜，厚度12～75μm，离型力10～30g/25mm。
[0019]本专利技术采用的另一技术方案是：一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜的制备方法，包括以下步骤：
[0020]S1、按比例将丙烯酸胶水、UV单体或低聚物、固化剂、光引发剂、塑化剂共混，黄光条件下，高速搅拌40min，同时补充适量乙酸乙酯，制得固含为25％的UV减粘胶水；
[0021]S2、在离型膜层表面涂布UV减粘胶，经过100℃*3min烘烤，得到UV减粘胶层；
[0022]S3、将胶面与PVC薄膜复合，得到成品；
[0023]S4、成品经过45℃熟化3天即完成制备。
[0024]上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
[0025]1、上述方案中，所述S2中UV减粘层的干胶厚度为5～30μm。
[0026]由于上述技术方案的运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点：
[0027]本专利技术用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜及其制备方法，其通过丙烯酸聚合物配方设计、低聚物的选择、及塑化剂含量的增减，有效控制胶的软硬度，塑化剂量越多，胶越软，并且设计的配方交联密度高，通过控制塑化剂的量使胶层与PVC层塑化剂的浓度平衡，在胶层与基材层贴合后，不会受到基材层中塑化剂的影响，从而使胶层达到稳定粘性、无残胶的效果。
附图说明
[0028]图1为本专利技术结构示意图。
[0029]图中：1
‑
基材层；2
‑
胶层；3
‑
离型层。
具体实施方式
[0030]下面结合实施例对本专利技术作进一步描述：
[0031]实施例1：如图1所示，一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，包括基材层1、胶层2和离型膜层3，所述胶层2位于基材层1和离型层3之间，所述基材层1优选70μm PVC薄膜，离型膜层3为PET单硅离型膜，厚度36μm，离型力15g/25mm，所述胶层2为UV减粘胶水涂布于基材层1上烘干制得的，所述UV减粘胶水包括以下重量份组分：
[0032]丙烯酸胶水70份，UV单体或低聚物30份，固化剂1.5份，光引发剂1.2份，塑化剂：5份；
[0033]其中丙烯酸胶水包括以下重量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：包括基材层(1)、胶层(2)和离型膜层(3)，所述胶层(2)位于基材层(1)和离型层(3)之间，所述胶层(2)为UV减粘胶水涂布于基材层(1)上烘干制得的，所述UV减粘胶水包括以下重量份组分：2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述丙烯酸胶水包括以下重量份组分：3.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述UV单体或低聚物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、芳香族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸
‑2‑
羟基乙酯、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸
‑
1，6
‑
己二醇酯、二丙烯酸
‑
1，6
‑
己二醇酯、二丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸三甘醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二丙烯酸对新戊二醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基戊烷三甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧化新戊二醇二丙烯酸酯、乙氧化1，6
‑
己二醇二丙烯酸酯、三(2
‑
丙烯酰氧乙基)异氰脲酸酯中的两种或两种以上，以及多官能度低聚物或多官能度单体或其组合物为脂肪族聚氨酯丙烯酸酯低聚物、环氧丙烯酸酯低聚物、季戊四醇四丙烯酸酯双季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或两种。4.根据权利要求1所述的用于半导体芯片倒膜的PVC基材UV减粘胶膜，其特征在于：所述固化剂为三苯基甲烷三异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯三聚体、甲苯二异氰酸酯三聚体、异佛尔酮二异氰酸酯三聚体、硫代磷酸三(4
‑
苯基异氰酸酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阜阳，陈炼，朱玲玲，陈洪野，吴小平，
申请(专利权)人：苏州赛伍应用技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：