半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件技术

一种制造半导体器件的方法，包括在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及形成器件结构，形成所述器件结构包括：在载体衬底上放置所述第一半导体器件；用密封剂密封所述第一半导体器件，其中，所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球；在所述密封剂上实施平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球；以及在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。本申请的实施例还提供半导体器件及封装件。施例还提供半导体器件及封装件。施例还提供半导体器件及封装件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件


[0001]本申请的实施例涉及半导体领域，具体地，涉及半导体器件、半导体器件的制造方法及封装件。

技术介绍

[0002]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件、从而将更多的功能集成至给定区域中。高功能集成电路需要多个输入/输出焊盘。然而，对于小型化非常重要的应用而言，可能期望小的封装。
[0003]集成扇出(InFO)封装技术正变得越来越流行，特别是当与晶圆级封装(WLP)技术结合时，其中集成电路封装在通常包括再分布层(RDL)或者后钝化互连的封装件中，该再分布层(RDL)或者后钝化互连用于扇出封装件接触焊盘的布线，从而在比集成电路的接触焊盘更大的间距上进行电接触。这样得到的封装结构提供了具有相对低成本和高性能封装的高功能密度。

技术实现思路

[0004]本申请的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球，其中，所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯；以及形成器件结构，形成所述器件结构包括：在载体衬底上放置所述第一半导体器件；用密封剂密封所述第一半导体器件，其中，所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球；在所述密封剂上实施平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球；以及在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述导电焊盘上放置所述金属芯焊料球之后，在所述金属芯焊料球上实施回流工艺。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述载体衬底上放置第二半导体器件。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二半导体器件包括金属芯焊料球，其中，所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二半导体器件包括焊料凸块，其中，所述再分布结构电连接至所述焊料凸块。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平坦化工艺去除所述金属芯焊料球的上部。7.根据权利要求6所述的方法，其中，在实施所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊毅，余振华，刘重希，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：