存储卡及其封装方法技术

本申请公开一种存储卡及其封装方法，所述存储卡的封装方法包括：提供牺牲层；将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面；形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层；去除所述牺牲层；在所述塑封层底部形成电连接层，所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片，并且，所述电连接层内形成有电连接结构，与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接，实现存储芯片与控制芯片之间的电连接，以及将所述控制芯片电性引出。上述封装方法成本较低。本较低。本较低。

【技术实现步骤摘要】
存储卡及其封装方法


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体涉及一种存储卡及其封装方法。

技术介绍

[0002]现有的存储卡内部通常包括闪存芯片、控制芯片等，目前的存储卡的封装结构中，通常将内部的芯片都固定在一个基板上，所述基板为PCB电路板，通过阴线与内部芯片之间形成电连接，再将整个基板与内部芯片通过塑封层包裹，暴露出外部接触引脚，从而完成封装，整个存储卡通过基板提供刚性支撑。
[0003]目前采用的基板通常为BT树脂板、FR-4板等高精密板，成本较高。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种存储卡及其封装方法，以解决现有技术中存储卡封装成本较高的问题。
[0005]本申请提供的一种存储卡的封装方法，包括：提供牺牲层；将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面；形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层；去除所述牺牲层；在所述塑封层底部形成电连接层，所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片，并且，所述电连接层内形成有电连接结构，与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接，实现存储芯片与控制芯片之间的电连接，以及将所述控制芯片电性引出。
[0006]可选的，所述牺牲层为光敏感膜层或热敏感膜层中的至少一种。
[0007]可选的，所述牺牲层包括蓝胶带、UV胶带、热固性材料层中的至少一种。
[0008]可选的，采用3D打印或注塑工艺形成所述塑封层。
[0009]可选的，所述电连接层包括绝缘层和所述电连接结构，所述电连接结构包括位于所述绝缘层内的布线层，以及与所述布线层连接且暴露于所述绝缘层表面的接触引脚。
[0010]可选的，所述电连接层的形成方法包括：采用3D打印工艺同步打印形成所述绝缘层和所述电连接结构；或者，所述电连接层的形成方法包括：形成若干逐层交替堆叠的子绝缘层、子布线层之后，形成贯穿各层的导电柱，通过所述导电柱在各子布线层之间形成电连接。
[0011]可选的，还包括：在将所述存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面之前，在所述牺牲层表面形成分别对应于所述存储芯片和所述控制芯片尺寸匹配的凹陷区域。
[0012]本申请还提供一种存储卡，包括：电连接层，所述电连接层内形成有电连接结构；位于所述电连接层表面的存储芯片和所述控制芯片，通过所述电连接结构实现所述存储芯片和所述控制芯片之间的电连接，以及所述控制芯片的电性引出；塑封层，覆盖所述电连接层、所述存储芯片以及所述控制芯片。
[0013]可选的，所述电连接层包括绝缘层和位于所述绝缘层内的电连接结构；所述电连接结构包括位于所述绝缘层内的布线层，以及与所述布线层连接且暴露于所述绝缘层表面的接触引脚。
[0014]可选的，所述电连接层内的所述绝缘层和所述电连接结构为3D打印结构；或者，所述电连接层包括若干逐层交替堆叠的绝缘子层、互连线层，以及在各互连线层之间形成电连接的导电柱。
[0015]本申请的存储卡在封装过程中，采用牺牲层临时固定存储芯片和控制芯片，在塑封完成后，去除所述牺牲层，利用塑封层为存储卡提供刚性支撑，无需采用高成本的基板进行支撑，从而可以降低存储卡的封装成本。并且，在去除牺牲层之后，形成电连接层，通过电连接层内的电连接结构将存储芯片和控制芯片电性引出，电连接层仅需要起到电性连接的作用，厚度较低，可以降低整个存储卡的厚度。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1至图5是本申请一实施例的存储卡的封装过程的流程示意图。
具体实施方式
[0018]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0019]请参考图1至图5，为本专利技术一实施例的存储卡的封装过程的示意图。
[0020]请参考图1，提供牺牲层100。
[0021]所述牺牲层100用于在后续步骤中，固定存储卡的存储芯片和控制芯片，起到临时固定的作用。
[0022]在一些实施例中，所述牺牲层100可以为光敏感膜层或热敏感膜层中的至少一种，在一定波长的光照或温度作用下物理特性会发生变化，在后续工艺步骤中容易被去除。
[0023]同时，所述牺牲层100表面可以具备一定的粘性，便于后续在所述牺牲层100表面固定芯片。在一些实施例中，所述牺牲层100可以为蓝胶带(blue tape)、UV胶带(UV tape)、热固性材料层中的至少一种。
[0024]该实施例中，为了便于后续定位存储芯片和控制芯片的位置，还可以在所述牺牲层100表面提前通过图形化处理，形成第一凹陷区域101和第二凹陷区域102。所述第一凹陷区域101位于存储芯片的封装位置，尺寸与所述存储芯片的尺寸匹配，较佳的，可以略大于所述存储芯片的固定表面的尺寸，所述第二凹陷区域102对应于控制芯片的封装位置，尺寸与所述控制芯片的尺寸匹配，较佳的，可以略大于所述控制芯片的固定表面的尺寸。可以通过图形化光刻或压印等方式形成所述第一凹陷区域101和所述第二凹陷区域102。所述第一凹陷区域101和第二凹陷区域102的深度无需过大，只需要能够阻挡置于其内的芯片滑出即可。在其他实施例中，也可以无需在所述牺牲层100表面形成凹陷区域。
[0025]请参考图2，将存储芯片201和控制芯片202固定于所述牺牲层100表面。
[0026]所述存储芯片201通常采用FLASH存储芯片，例如NAND Flash芯片。所述控制芯片202用于根据外部输入信号，执行数据操作指令的芯片，对存储芯片201内的电路进行控制，执行读、写、擦除等控制。
[0027]将所述存储芯片201和所述控制芯片202分别固定于所述牺牲层100表面。
[0028]在一个实施例中，所述牺牲层100表面具有粘性，可以直接将所述存储芯片201和所述控制芯片202贴于所述牺牲层100表面进行固定。
[0029]在另一实施例中，所述牺牲层100表面为非粘性表面，可以通过额外的粘胶层将所述存储芯片201和所述控制芯片202固定于所述牺牲层100表面。
[0030]本实施例中，将所述存储芯片201固定于所述第一凹陷区域101内，将所述控制芯片202固定于所述第二凹陷区域102内，使得所述存储芯片201和所述控制芯片202侧壁处均有部分高度的牺牲层材料阻挡，避免所述存储芯片201和所述控制芯片202发生横向移动，从而更好的固定芯片位置。
[0031]本实施例中，待形成的存储卡内包括一个存储芯片201以及对应的一个控制芯片2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储卡的封装方法，其特征在于，包括：提供牺牲层；将存储芯片和控制芯片固定于所述牺牲层表面；形成覆盖所述存储芯片和控制芯片的塑封层；去除所述牺牲层；在所述塑封层底部形成电连接层，所述电连接层与所述塑封层共同包裹所述存储芯片和所述控制芯片，并且，所述电连接层内形成有电连接结构，与所述存储芯片和所述控制芯片电性连接，实现存储芯片与控制芯片之间的电连接，以及将所述控制芯片电性引出。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述牺牲层为光敏感膜层或热敏感膜层中的至少一种。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述牺牲层包括蓝胶带、UV胶带、热固性材料层中的至少一种。4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，采用3D打印或注塑工艺形成所述塑封层。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述电连接层包括绝缘层和所述电连接结构，所述电连接结构包括位于所述绝缘层内的布线层，以及与所述布线层连接且暴露于所述绝缘层表面的接触引脚。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述电连接层的形成方法包括：采用3D打印工艺同步打印形成所述绝缘层和所述电连接结构；或者，所述电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖振楠，
申请(专利权)人：深圳宏芯宇电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：