本发明专利技术公开了一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，涉及烧结钕铁硼加工技术领域，包括钕铁硼氢碎处理室、氢气瓶装填输入设备、热量交换设备和设备内部真空处理设备，所述氢气瓶装填输入设备活动安装在钕铁硼氢碎处理室的内部，所述钕铁硼氢碎处理室的底部固定安装有热量交换设备，所述设备内部真空处理设备的底部固定安装在钕铁硼氢碎处理室的顶部。本发明专利技术通过电磁控制器的电流与磁力之间相互生产的原理，为电磁控制器提供电力从而产生磁场，将氢气罐吸附到氢气瓶装填底座上，而磁力吸附模组同样利用磁场吸附金属物体的特性，将其注入到加压转流仓的内部，通过防泄漏保护管道将氢气输送进此装置的内部进行氢碎，非常方便更换氢气瓶。氢气瓶。氢气瓶。
【技术实现步骤摘要】
一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置
[0001]本专利技术涉及一种氢碎装置，涉及烧结钕铁硼加工
，具体涉及一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置。
技术介绍
[0002]氢碎装置是一种通过非机械力将锭状或片状稀土合金材料形成粉末，主要通过氢气与稀土合金（如钕铁硼合金Nd2Fe14B）进行反应，利用稀土合金（如钕铁硼合金）在吸氢和放氢过程中本身所产生的沿晶断裂和穿晶断裂导致稀土合金粉化，形成一个脆化和破碎过程，从而得到一定粒度的稀土合金粉末的一种工艺设备。针对现有技术存在以下问题：1、氢碎装置存在氢气补充不够快速的问题，在处理大量的钕铁硼时会消耗大量的氢气，如果不进行快速补充氢气的话会严重干扰到钕铁硼的氢碎反应，导致其效率低下且所得到的最终产品质量得不到保障；2、对一些氢碎装置来说，会存在不易控制装置内部压强的问题，不同压强下钕铁硼的反应速率也不一样，如果压强得不到快速的调节就会造成氢碎速度下降的问题，进而达不到氢碎装置的使用初衷，该氢碎装置的适用性变差，因此需要进行结构创新来解决具体问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术需要解决的技术问题是提供一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其中一种目的是为了具备高速更换氢气瓶并对其进行固定的功能，解决氢气瓶更换繁琐造成设备内部氢气中断的问题；其中另一种目的是为了解决设备内部压强不易监控的问题，以达到实时监控内部压强具体数值并自动对其进行调整的效果，其中再一种目的是为了具备辅助提高氢碎反应效率的功能，方便加快氢碎反应的速度，在保持高速氢碎反应的同时提高最终产品的品质。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，包括钕铁硼氢碎处理室、氢气瓶装填输入设备、热量交换设备和设备内部真空处理设备，所述氢气瓶装填输入设备活动安装在钕铁硼氢碎处理室的内部，所述钕铁硼氢碎处理室的底部固定安装有热量交换设备，所述设备内部真空处理设备的底部固定安装在钕铁硼氢碎处理室的顶部，所述氢气瓶装填输入设备包括感应开口、氢气瓶装填底座、电磁控制器、磁力吸附模组、加压转流仓和防泄漏保护管道，所述感应开口覆盖在氢气瓶装填输入设备的顶部，所述电磁控制器的一端固定连接在氢气瓶装填底座的外壁上，所述磁力吸附模组的一端固定安装在氢气瓶装填底座的内壁上，所述加压转流仓的顶部固定安装在氢气瓶装填输入设备的内部，所述加压转流仓位于氢气瓶装填底座的上方，所述防泄漏保护管道的一端固定连接在加压转流仓的内部。
[0005]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述热量交换设备包括热量生产机组、热分子传递导管和热量回流管，所述热分子传递导管的两端均固定连接在热量生产机组的内
部，所述热量回流管的两端均固定连接在热分子传递导管的内部。
[0006]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述钕铁硼氢碎处理室的底部固定安装有晶体存放内腔和材料处理室，所述晶体存放内腔的顶部固定安装有破碎晶体研磨器，所述破碎晶体研磨器的底部电性连接在能源提供层的内部，所述破碎晶体研磨器位于材料处理室的底部，所述材料处理室与破碎晶体研磨器的交接处活动安装有感应阀门。
[0007]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述氢气瓶装填输入设备与钕铁硼氢碎处理室的交接处固定安装有氢气推进器，所述氢气推进器的底部固定安装在氢气瓶装填输入设备的内部，所述氢气推进器的顶部活动连接在材料处理室的内部。
[0008]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述材料处理室的内壁中固定安装有高分子提取管，所述高分子提取管的接触头固定连接在材料处理室的内部，所述材料处理室的中心部位开设有热量交换区域。
[0009]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述设备内部真空处理设备包括真空压强量取刻度盘、压强指示针、压强调整室、磁力感应封闭层和真空提取管，所述真空压强量取刻度盘固定安装在设备内部真空处理设备的内部，所述压强指示针的底部活动安装在真空压强量取刻度盘的表面上，所述真空压强量取刻度盘的接线端与压强调整室的接线端之间电性连接，所述压强调整室的一端固定安装有磁力感应封闭层，所述磁力感应封闭层固定安装在真空提取管的内部，所述真空提取管的一端固定连接在真空压强量取刻度盘的内部。
[0010]本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述氢气推进器的一端与防泄漏保护管道的另一端之间固定连接，所述氢气推进器位于破碎晶体研磨器的上方。
[0011]本专利技术技术方案的进一步改进在于：热分子传递导管和热量回流管均固定安装在热量交换区域的内部，所述高分子提取管的一端固定连接在真空提取管的内部。
[0012]由于采用了上述技术方案，本专利技术相对现有技术来说，取得的技术进步是：1、本专利技术提供一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，通过设计精妙，采用感应开口、氢气瓶装填底座、电磁控制器、磁力吸附模组、加压转流仓和防泄漏保护管道结合，利用电磁控制器的电流与磁力之间相互生产的原理，为电磁控制器提供电力从而产生磁场，将氢气罐吸附到氢气瓶装填底座上，而磁力吸附模组同样利用磁场吸附金属物体的特性，将氢气瓶的瓶颈部位进行固定，将其注入到加压转流仓的内部，通过防泄漏保护管道将氢气输送进此装置的内部进行氢碎，非常方便更换氢气瓶，保持设备能够一直都提供充足的氢气，从而确保钕铁硼的氢碎反应能够正常进行。
[0013]2、本专利技术提供一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，通过采用热量生产机组、热分子传递导管和热量回流管组合设置，利用高热分子运动速率相较于低温分子运动速率更快的特性，将高热分子通过热分子传递导管对装置内部进行加温处理，以配合钕铁硼的氢碎反应，从而提高钕铁硼氢碎的效率。
[0014]3、本专利技术提供一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，通过采用晶体存放内腔和材料处理室组合设置，并在材料处理室的周围布置氢气推进器，在钕铁硼进入到材料处理室内时，立即将氢气注入到材料处理室内，在钕铁硼与氢气进行反应时，会产生晶体碎片，在反应进行到一定时间之后，能源提供层为破碎晶体研磨器产生动力，对晶体碎片进行破碎处理，以提升钕铁硼氢碎的效果，获得质量更高的研磨粉。
[0015]4、本专利技术提供一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，通过采用真空压强量取刻度
盘、压强指示针、压强调整室、磁力感应封闭层和真空提取管组合设置，通过高分子提取管将材料处理室内的空气进行抽取压缩，高分子其相对分子质量很大，通常都处于固体或凝胶状态，有较好的机械强度，又由于其分子是由共价键结合而成的，故有较好的绝缘性和耐腐蚀性能，由于其分子链很长，分子的长度与直径之比大于一千，故有较好的可塑性和高弹性，能够承受较高的压强与气体分子的冲刷，延长此装置的使用寿命，利用真空压强量取刻度盘对材料处理室的压强进行实时监控，通过磁力感应封闭层随时闭合或打开真空提取管，调节材料处理室内的压强。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的外观示意图。
[0017]图2为本专利技术的氢气瓶装填输入设备结构示意图。
[0018]图3为本专利技术的热量交换设备结构示意图。
[0019]图4为本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，包括钕铁硼氢碎处理室（1）、氢气瓶装填输入设备（2）、热量交换设备（3）和设备内部真空处理设备（4），所述氢气瓶装填输入设备（2）活动安装在钕铁硼氢碎处理室（1）的内部，所述钕铁硼氢碎处理室（1）的底部固定安装有热量交换设备（3），所述设备内部真空处理设备（4）的底部固定安装在钕铁硼氢碎处理室（1）的顶部，其特征在于：所述氢气瓶装填输入设备（2）包括感应开口（5）、氢气瓶装填底座（8）、电磁控制器（7）、磁力吸附模组（9）、加压转流仓（10）和防泄漏保护管道（11），所述感应开口（5）覆盖在氢气瓶装填输入设备（2）的顶部，所述电磁控制器（7）的一端固定连接在氢气瓶装填底座（8）的外壁上，所述磁力吸附模组（9）的一端固定安装在氢气瓶装填底座（8）的内壁上，所述加压转流仓（10）的顶部固定安装在氢气瓶装填输入设备（2）的内部，所述加压转流仓（10）位于氢气瓶装填底座（8）的上方，所述防泄漏保护管道（11）的一端固定连接在加压转流仓（10）的内部。2.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述热量交换设备（3）包括热量生产机组（12）、热分子传递导管（13）和热量回流管（14），所述热分子传递导管（13）的两端均固定连接在热量生产机组（12）的内部，所述热量回流管（14）的两端均固定连接在热分子传递导管（13）的内部。3.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述钕铁硼氢碎处理室（1）的底部固定安装有晶体存放内腔（20）和材料处理室（16），所述晶体存放内腔（20）的顶部固定安装有破碎晶体研磨器（18），所述破碎晶体研磨器（18）的底部电性连接在能源提供层（19）的内部，所述破碎晶体研磨器（18）位于材料处理室（16）的底部，所述材料处理室（16）与破碎晶体研磨器（18）的交接处活动安装有感应阀门（17）。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：剧智华，钟春燕，刘滨，蔡小勇，庞再升，喻玺，
申请(专利权)人：赣州富尔特电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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