与写入操作相关联的预读取操作的调整制造技术

可在存储器子系统处接收数据。可识别所述存储器子系统的特性。可基于所述存储器子系统的所述特性而确定读取电压电平。可基于所述读取电压电平而在所述存储器子系统处执行读取操作以检索所存储数据。可基于依靠基于所述读取电压电平的所述读取操作检索到的所述所存储数据而在所述存储器子系统处存储所述所接收数据。收数据。收数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】与写入操作相关联的预读取操作的调整


[0001]本公开大体上涉及一种存储器子系统，且更具体地说，涉及与存储器子系统中的写入操作相关联的预读取操作的调整。

技术介绍

[0002]存储器子系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，并且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可例如为非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。
附图说明
[0003]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施方案的附图，将更充分地理解本公开。
[0004]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
[0005]图2为根据一些实施例的用以调整用于预读取操作的读取电压电平的实例方法的流程图。
[0006]图3A说明根据本公开的一些实施例的将施加到存储器单元的实例读取电压电平。
[0007]图3B说明根据本公开的一些实施例的施加到具有电压漂移的存储器单元的实例读取电压电平。
[0008]图3C说明根据本公开的一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在存储器子系统处接收第一数据；识别所述存储器子系统的特性；通过处理装置基于所述存储器子系统的所述特性而确定读取电压电平；基于所述所确定的读取电压电平而在所述存储器子系统处执行读取操作以检索第二数据；以及基于通过所述读取操作检索到的所述第二数据而在所述存储器子系统处存储所述第一数据，所述读取操作是基于所述所确定的读取电压电平。2.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述所确定的读取电压电平而在所述存储器子系统处执行所述读取操作以检索所述第二数据包括：将所述所确定的读取电压电平施加到所述存储器子系统的一或多个存储器单元，并且其中所述所确定的读取电压电平不同于施加到所述存储器子系统的另一存储器单元的先前读取电压电平。3.根据权利要求1所述的方法，其中基于依靠所述读取操作检索到的所述第二数据而在所述存储器子系统处存储所述第一数据包括：基于所述读取电压电平而确定所述第一数据是否与依靠所述读取操作检索到所述第二数据匹配；以及响应于所述第二数据不匹配所述第一数据而改变存储在所述存储器子系统的一或多个存储器单元处的值。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述特性指示所述存储器子系统的存储器单元的阈值电压已改变，并且其中所述所确定的读取电压电平是基于所述阈值电压的所述改变。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述特性对应于所述存储器子系统的条件，所述条件是在所述存储器子系统处执行的写入操作的数目、从在所述存储器子系统处执行先前写入操作以来已流逝的时间量、与从所述存储器子系统读取的数据相关联的错误率以及所述存储器子系统的操作温度中的一或多者。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取操作是在所述第一数据的所述存储之前执行。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器子系统包括基于交叉点阵列的存储器。8.一种系统，其包括：存储器组件；以及处理装置，其与所述存储器组件可操作地耦合以进行以下操作：在存储器子系统处接收数据；识别所述存储器子系统的特性；基于所述存储器子系统的所述特性而确定读取电压电平；基于所述读取电压电平而在所述存储器子系统处执行读取操作以检索所存储数据；以及基于依靠基于所述读取电压电平的所述读取操作检索到的所述所存储数据而在所述存储器子系统处存储所述所接收数据。9.根据权利要求8所述的系统，其中为了基于所述读取电压电平而在所述存储器子系
统处执行所述读取操作以检索所述所存储数据，所述处理装置进一步进行以下操作：将所述所确定的读取电压电平施加到所述存储器子系统的一或多个存储器单元，并且其中所述所确定的读取电压电平不同于施加到所述存储器子系统的另一存储器单元的先前读取电压电平。10.根据权利要求8所述的系统，其中为了基于依靠所述读取操作检索到的所述所存储数据而在所述存储器子系统处存储所述所接收数据，所述处理装置进一步进行以下操...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈震雷，陈振刚，谢廷俊，J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：