【技术实现步骤摘要】
具有保护功能的半导体器件测试装置
[0001]本技术属于半导体器件测试
，具体地说，特别涉及一种具有保护功能的半导体器件测试装置。
技术介绍
[0002]可控型半导体器件的安全工作区是其非常重要的参数，在测试过程中若发生失效，如关断失效，芯片通常会由于热过程而发生不可逆的击穿。传统测试中，只能对每个芯片或器件进行一次测试，无法测试不同电压下完整的安全工作区(SOA)，而由于击穿时的热过程，也无法准确定位及分析失效位置。
[0003]具体地说，半导体器件测试可以分为器件测试和元胞测试。其中器件测试指对封装之后的半导体器件进行测试，各元胞的阴极和阳极接在同一电极上与外电路连接，测试得到的是所有元胞总电压电流特性。对于多元胞并联结构的芯片，元胞测试则指对其中单个或多个元胞进行元胞级别的测试，可以直接测试芯片中的单个或多个元胞，不再受到封装的限制。
[0004]器件测试是目前半导体器件研发过程必要的测试方法。但由于工艺不均匀性以及封装的非对称性，多元胞并联芯片内部不同元胞之间的电流并不是均匀分配的，元胞纵向结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有保护功能的半导体器件测试装置，其特征在于，包括：测试回路单元，电性连接于被测器件单元形成保护支路；采集保护单元，采集所述被测器件单元的至少一电性能参数信号，所述采集保护单元根据所述电性能参数信号判断所述被测器件单元是否失效，当所述被测器件单元失效时，所述采集保护单元控制所述测试回路单元使得电流从所述被测器件单元换流到所述保护支路。2.如权利要求1所述的具有保护功能的半导体器件测试装置，其特征在于，测试回路单元包括：电容、负载、第一开关及第二开关，所述电容与所述负载串联连接，所述第一开关与所述被测器件单元串联连接后的一端电性连接于所述第二开关的一端及所述电容，所述第一开关与所述被测器件单元串联连接后的另一端电性连接于所述第二开关的另一端及所述负载，所述第二开关所在支路为所述保护支路。3.如权利要求2所述的具有保护功能的半导体器件测试装置，其特征在于，所述第一开关为全控型器件，所述第二开关为全控型器件或半控型器件。4.如权利要求2
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3中任一项所述的具有保护功能的半导体器件测试装置，其特征在于，所述采集保护单元包括：测量电路，电性连接于所述被测器件单元，所述测量电路采集并获得至少一所述电性能参数信号；控制电路，电性连接于所述测量电路及所述被测器件单元，所述控制电路根据关断触发信号控制所述被测器件单元关断，所述控制电路根据所述至少一所述电性能参数信号判断所述被测器件单元是否失效，当所述被测器件单元失效时，所述控制电路输出控制信号控制所述第一开关断开及所述第二开关闭合，使得流过所述被测器件单元的电流从所述被测器件单元换流到所述保护支路。5.如权利要求4所述的具有保护功能的半导体器件测试装置，其特征在于，所述控制电路包括：比较模块，电性连接于所述测量电路，将所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵彪，任春频，曾嵘，刘佳鹏，陈政宇，余占清，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：新型
国别省市：
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