一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路制造技术

本发明专利技术公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，包括GaN HEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路，可通过探测器件漏极电压推算得到，通过器件漏源极的高频电流，省去了电流探测器，避免了电流探测器带来的损耗，减小了电路环路面积。该方法还能有效地将GaN HEMT器件的自热效应及其独有的俘获效应解嵌，从而获得高精度的电流探测结果，能够广泛地运用于高频功率电子线路中。线路中。线路中。

【技术实现步骤摘要】
一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路


[0001]本专利技术涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，具体涉及一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路。

技术介绍

[0002]基于GaN HEMT器件的电流采样都存在一些缺陷，例如现有最常用的一种简易电流检测方式，如图3所示，该方法在传统Si基或SiC基MOSFET中影响较小，因为传统Si基或SiC基MOSFET的栅极耐压一般在20V以上，阈值电压在2
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4V左右，因而其栅极驱动电压常在12V左右，R1上的压降对栅极驱动几乎无影响，只会增加一部分开通损耗。而GaN HEMT器件的栅极耐压一般仅在7V左右，阈值电压仅在1.5V左右，因而其栅极驱动电压常在5V左右，此时R1的压降可能对栅极驱动产生显著影响，严重时可能导致HEMT器件退出饱和区，大大增加HEMT器件的工作损耗，影响HEMT器件的工作可靠性；另一种现有方式如申请号：201510135784.3的专利文件所示，该方法运用于传统Si基或SiC基MOSFET中，通过检测漏极电压，再由检测得到的漏极电压除以已本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，其特征在于，包括GaN HEMT器件器件电路（01）、电流源电路（02）、动态导通电阻提取电路（03）和运放差分电路（04），所述GaN HEMT器件器件电路（01）中包括双管并列的第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102），所述第一GaN HEMT器件（101）和第二GaN HEMT器件（102）的源极相连，其中第一GaN HEMT器件（101）的漏极直接与电流源电路（02）中的电压源（103）相连，第二GaN HEMT器件（103）的漏极通过无感电阻（104）与电压源（103）相连；所述动态导通电阻提取电路（03）包括两条由若干二极管（105）串联组成的支路，其中支路一连接在电流源电路（02）中A点和运放差分电路（04）中运算放大器的同向输入端之间，支路二连接在在电流源电路（02）中B点和运放差分电路（04）中运算放大器的反向输入端之间，所述二极管（105）的阳极端连接有稳压管（107），支路一上的两个C点和支路二上的两个D点都连接有恒流源...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷建明，
申请(专利权)人：南京工业职业技术大学，
类型：发明
国别省市：