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本发明公开一种GaNHEMT器件的高频无损逐周期电流检测电路，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，包括GaN HEMT器件器件电路、电流源电路、动态导通电阻提取电路和运放差分电路，可通过探测器件漏极电压推算得到，通过器件漏源极的高频电流，省...
该专利属于南京工业职业技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业职业技术大学授权不得商用。

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