闪存的数据保持力测试方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存的数据保持力测试方法，包括：步骤一、选定多个存储单元并进行弱编程；步骤二、测量各存储单元的第一单元电流，第一单元电流具有分散性；步骤三、对所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；步骤四、测量经过应力作用的各存储单元的第二单元电流；步骤五、计算各存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值；步骤六、进行以第一单元电流为X值和以单元电流增加值为Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。本发明专利技术能实现对强编程的闪存数据保持力进行灵敏检测。的闪存数据保持力进行灵敏检测。的闪存数据保持力进行灵敏检测。

【技术实现步骤摘要】
闪存的数据保持力测试方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种闪存的数据保持力(Data Retention)测试方法。

技术介绍

[0002]数据保持性力是指，存储芯片在各种应力作用下保持原有数据的能力。
[0003]在闪存中，浮栅(Floating Gate，FG)是用来存储数据的介质，其数据保持能力主要包括“0”失效和“1”失效两种。状态“0”表示编程(program)状态，状态“1”表示擦除(erase)状态，
[0004]在强program和强erase状态下Floating gate中存储的电荷较多，少量电荷溢出对沟道状态的影响很小，无法灵敏监测，导致难以评价存储芯片的数据保持能力水平或差异。
[0005]闪存的存储阵列由多个存储单元行列排列而成，各所述存储单元在编程时在编程电压的作用下会在各所述存储单元的浮栅中注入电子。
[0006]通常，所述存储单元的编程采用源端热电子注入编程，现说明如下：
[0007]如图1所示，是现有闪存的存储单元的结构图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：闪存的存储阵列由多个存储单元行列排列而成，各所述存储单元在编程时在编程电压的作用下会在各所述存储单元的浮栅中注入电子；所述闪存的编程数据保持力测试包括如下步骤：步骤一、选定多个存储单元，对多个所述存储单元进行弱编程，所述弱编程对应的弱编程电压小于所述编程电压，所述弱编程电压使得所述弱编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量小于所述编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量；步骤二、测量经过所述弱编程后的各所述存储单元的第一单元电流，各所述存储单元的第一单元电流具有分散性；步骤三、对所述弱编程后的各所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；步骤四、测量经过所述应力作用的各所述存储单元的第二单元电流；步骤五、计算各所述存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值；步骤六、以各所述存储单元的所述第一单元电流为X值，以各所述存储单元的所述单元电流增加值为Y值，进行X值和Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。2.如权利要求1所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：步骤六中，Y值和X值呈线性关系，所述拟合结果为拟合曲线的斜率。3.如权利要求1所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元的编程采用源端热电子注入编程。4.如权利要求3所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元采用双分离栅结构。5.如权利要求4所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述闪存的存储阵列为NOR型。6.如权利要求5所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：步骤一中，以扇区为单位选定的所述存储单元。7.如权利要求4所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元包括第一源漏区、第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第二源漏区；所述第一栅极结构包括第一隧穿栅介质层、第一浮栅、第一控制栅介质层，第一控制栅；所述第二栅介质层包括栅介质层和栅极导电材料层；所述第三栅极结构包括第二隧穿栅介质层、第二浮栅、第二控制栅介质层，第二控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志涛，徐杰，李小康，张家瑞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：